AO3400场效应管参数 封装引脚规格书PDF 全国供应商生产厂家

AO3400是N沟道NMOS场效应管，AO3401则是P沟道PMOS管，两者沟道不同，其他性能基本一致，Vds：-30V；Id：-4A；是其AO34xx代号的意思，代表主要性能；在低压开关时建议使用AO3400，AO3401，Rds(ON)导通内阻会稍小。高压开关时需要用AO3407，及以上的，Vgs不同，MOS导通内阻也不同，请比对规格书选用。

AO3400采用了先进的沟槽技术与低电阻封装提供极低的RDS(ON)，低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3400不含铅（符合 ROHS 和 Sony 259 规范）。 

AO3400L是绿色产品订购选项。 AO3400和AO3400L在电气上是相同的。

AO3400,SOT23(N沟道增强型场效应晶体管)主要参数特性如下

· Vds(V)：30V

· Id(Vgs=10V情况下)：5.8A

· Rds(ON) (Vgs=10v情况下)：<28mΩ

· Rds(ON) (Vgs=4.5v情况下)：<33mΩ

· Rds(ON) (Vgs=2.5v情况下)：<52mΩ

绝对最大额定参数(参数与最大值)如下

· Drain-Source Voltage（漏源电压Vds）：30v

· Gate-Source Voltage（栅源电压Vgs）：±12v

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 25℃）：5.8A

· Continuous Drain Current（漏极电流Id 70℃）：4.9A

· Power Dissipation（功率损耗Pd 25℃）：1.4W

· Power Dissipation（功率损耗Pd 70℃）：1W

· Junction and Storage Temperature Range（温度范围）：-55~150℃

壹芯微AO3400数据手册下还有热特性和静态特性等，建议自行阅读观看。

AO3400,SOT23数据手册(查看下载)

关于MOS输出特性曲线的理解：

输出特性曲线的绘制是在VDS之间不加其他负载时绘制得到的，所以一条输出特性曲线上的ID，是在该UGS电压下，ID能提供的最大电流。从原理来讲的话，DS之间有一个受UGS与UDS控制的电阻，就是沟道，当其工作在恒流区的时候，这个电阻只受UGS控制，所以工作在恒流区的时候通过改变UGS就能改变RDS这个电阻的变化，其流过的电流ID就会发生改变。

实际的控制过程其实是通过UGS控制沟道电阻的变化，电阻的变化引起电流ID的变化。在实际的分析计算过程中略过了对沟道控制这个环节，直接将UGS与ID之间的变化关系用gm低频互导这个参数代替。这个参数就是从转移特性曲线绘制出来的。

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