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[技术文章]FDD86250 典型应用电路[ 2024-05-16 15:09 ]

FDD86250是一款功率场效应晶体管（MOSFET），常见于各种电力电子应用中。它的应用场景非常广泛，包括但不限于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。下面将详细介绍FDD86250的参数特点以及应用场景。一、参数特点：- 低导通电阻： FDD86250具有低导通电阻特性，这意味着在导通状态下，可以实现较低的电压降，从而减少功耗和提高效率。- 高开关速度： FDD86250具有快速的开关速度，这使其在高频应用中表现出色，能够实现快速的开关操作，提高系统响应速度。- 低驱动电压：由于FDD86250的低阈值电压，它需

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[技术文章]IRF3205PBF 典型应用电路[ 2024-05-14 12:12 ]

IRF3205PBF是一款极为常见的功率场效应晶体管（MOSFET），其应用广泛，参数特性出色，为各种电子系统提供了稳定可靠的性能支持。一、应用场景：1. 电源管理系统：IRF3205PBF适用于开关电源设计，包括电动工具、家用电器等领域。其低导通电阻和高开关速度可降低功耗，提高电源系统效率。2. 电机驱动：在电机控制和驱动方面，IRF3205PBF作为关键的开关元件，能够提供高效的功率放大功能，确保电机系统稳定运行。3. 汽车电子系统：IRF3205PBF在汽车电子领域应用广泛，包括发动机控制单元（ECU）、电池

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[技术文章]IRFB4227 典型应用电路[ 2024-05-09 16:16 ]

IRFB4227是一款常用的功率场效应晶体管（MOSFET），在许多电子设备和应用中广泛应用。它的参数特点和应用场景如下：一、参数特点：- 低导通电阻： IRFB4227具有较低的导通电阻，这意味着它可以在较低的功率损耗下传输更大的电流。这对于需要高效能耗的应用非常重要。- 高开关速度：由于其设计采用了优化的结构和材料，IRFB4227具有快速的开关速度，可以实现快速的功率开关，适用于高频应用。- 高耐压能力： IRFB4227的设计使其具有较高的耐压能力，可以承受较高的电压，这使其在高电压应用中表现出色。- 低

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[技术文章]IRFB4110 典型应用电路[ 2024-05-08 15:04 ]

IRFB4110是一款常用的功率场效应晶体管（MOSFET），具有广泛的应用场景和特点。下面将详细介绍它的应用场景和参数特点。一、应用场景：1.电源领域：IRFB4110常用于开关电源、逆变器和直流-直流转换器等领域。其低导通电阻和高电流承受能力使其成为电源系统中的理想选择，能够有效地实现功率传输和能量转换。2.驱动器：在电机驱动和电机控制系统中，IRFB4110可以作为电流控制器或电流开关，用于控制电机的启停和运行，实现精确的速度和转矩控制。3.电动车充电器：IRFB4110在电动车充电器中扮演着重要角色，能够处

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[技术文章]NCE3080K 典型应用电路[ 2024-05-07 15:37 ]

NCE3080K是一款功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于各种电源管理和功率控制应用中。它具有一系列的参数特点和应用场景，使其成为电子工程师首选的器件之一。一、应用场景：1.电源开关：NCE3080K可用作电源开关，用于控制电路的通断，实现电源的高效管理和节能。2.直流-直流转换器：在直流-直流转换器中，NCE3080K作为开关管，能够有效地控制输出电压，实现电能的转换和稳定输出。3.电动车电池管理系统：在电动车电池管理系统中，NCE3080K可用于电池充放电控制，提高电池的使用效率和寿命。4.LED驱动器

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[技术文章]KBP310 典型应用电路[ 2024-04-29 11:29 ]

KBP310 是一种高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），其广泛的应用和卓越的电气性能使其在电子电路设计中非常受欢迎。以下详细介绍了 KBP310 的具体应用场景和显著的参数特性：一、应用场景：- 开关电源：在开关电源设计中，KBP310 被用作关键的高频开关组件。它的优异开关性能和高效率的功率转换能力，可显著提升供电系统的整体性能，同时缩小系统体积。- 逆变器应用：KBP310 在逆变器电路中扮演着核心角色，将直流电高效转换为交流电，特别是在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中的应用尤为突出。- 电机控制

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[技术文章]AO3401 典型应用电路[ 2024-04-19 16:29 ]

AO3401 是一种N沟道增强模式功率场效应晶体管（MOSFET），广泛用于各种电子设备中，以提供高效率的电源管理和开关功能。下面是关于 AO3401 的应用场景和参数特点的详细描述：一、应用场景：- 移动设备：AO3401 由于其小尺寸和高效率，非常适合用于智能手机、平板电脑及其他便携设备的电源管理系统。- 电脑设备：在笔记本电脑和台式机的电源供应中，AO3401 能有效地控制电源的分配，确保设备稳定运行。- 充电器：用于各种电池充电器中，AO3401 能够提供稳定的充电电流，增强充电效率和安全性。- LED照明

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[常见问题解答]LED驱动电路中场效应管IRF4905的作用介绍[ 2024-03-20 17:56 ]

LED驱动电路中场效应管IRF4905的作用介绍IRF4905是一种常见的功率场效应晶体管（MOSFET）器件，常用于LED驱动电路的Buck电路中。本文将详细介绍IRF4905在LED驱动电路中的作用。Buck电路是一种降压型DC-DC变换器，常用于将高电压转换为较低电压的应用中。在LED驱动电路中，Buck电路通常被用来将直流电源电压降低到LED的工作电压范围，以提供适当的电压和电流来驱动LED。LED驱动电路的组成LED驱动电路通常由以下几个主要部分组成：输入电源、整流电路、滤波电路、功率因素校正电路、变压器

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[行业资讯]2N65KL-TN3-R场效应管参数中文资料现货替代厂家直营 - 壹芯微[ 2021-09-22 15:55 ]

2N65KL-TN3-R场效应管参数中文资料现货替代厂家直营 - 壹芯微2N65KL-TN3-R场效应管（2A,650V N沟道功率场效应晶体管）封装形式为：TO2522N65KL-TN3-R场效应管参数中文资料,2N65KL-TN3-R场效应管封装引脚图,2N65KL-TN3-R规格书2N65KL-TN3-R的概述：2N65K是一种高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电

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[行业资讯]4N65ZG-TN3-T场效应管,4N65ZG-TN3-T参数中文资料 - 壹芯微[ 2021-09-22 15:48 ]

4N65ZG-TN3-T场效应管,4N65ZG-TN3-T参数中文资料 - 壹芯微4N65ZG-TN3-T场效应管（4A,650V N沟道功率场效应晶体管）封装形式为：TO2524N65ZG-TN3-T场效应管参数中文资料,4N65ZG-TN3-T场效应管封装引脚图,4N65ZG-TN3-T规格书4N65ZG-TN3-T的概述：4N65Z是一款高压功率MOSFET，其设计具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。该功率MOSFET通常用于高速开关应用，包括电源、PWM电机控制、高

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[行业资讯]5N65G-TN3-R场效应管参数中文资料现货替代厂家直营 - 壹芯微[ 2021-09-18 11:50 ]

5N65G-TN3-R场效应管参数中文资料现货替代厂家直营 - 壹芯微5N65G-TN3-R场效应管（5A,650V N沟道功率场效应晶体管）封装形式为：TO2525N65G-TN3-R场效应管参数中文资料,5N65G-TN3-R场效应管封装引脚图,5N65G-TN3-R规格书5N65G-TN3-R的概述：5N65是一种高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于电源的高速开关应用， PWM电机控制，高效直流到直流转换器和桥接

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[行业资讯]6N65L-TN3-R场效应管,6N65L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微[ 2021-09-18 09:30 ]

6N65L-TN3-R场效应管,6N65L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微6N65L-TN3-R场效应管（6A,650V N沟道功率场效应晶体管）封装形式为：TO2526N65L-TN3-R场效应管参数中文资料,6N65L-TN3-R场效应管封装引脚图,6N65L-TN3-R规格书6N65L-TN3-R的概述：6N65L-TN3-R 是一款高压功率 MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。这种功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。Th

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[常见问题解答]SI2302功率场效应晶体管参数规格中文资料[ 2021-06-04 12:02 ]

SI2302功率场效应晶体管参数规格中文资料功率场效应晶体管，3A I(D)，20V，0.072ohm，1 元件，N 沟道，硅，金属氧化物半导体 FET，无铅，塑料封装-3详细参数参数名称参数值是否Rohs认证符合生命周期Active针数3Reach Compliance CodecompliantECCN代码EAR99风险等级5.32Samacsys DescriptionMOSFET 20V 3ASamacsys ManufacturerMicro Commercial Components (MCC)Mi

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[常见问题解答]SI2301功率场效应晶体管参数规格中文资料[ 2021-06-04 11:22 ]

SI2301功率场效应晶体管参数规格中文资料功率场效应晶体管, 2.8A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC PACKAGE-3详细参数参数名称参数值是否Rohs认证符合生命周期Active针数3Reach Compliance CodecompliantECCN代码EAR99风险等级5.89Samacsys DescriptionMOSFET -20V -2

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[常见问题解答]直流变换交流电路图解-场效应晶体管-逆变电源-MOS场效应管变换电路详解[ 2021-04-17 09:55 ]

直流变换交流电路图解-场效应晶体管-逆变电源-MOS场效应管变换电路详解直流变交流简易电路图（一）该逆变器使用功率场效应晶体管作为逆变器装置。用汽车电池供电。因此，在输入电压为12伏直流电。输出电压是100V的交流电。但是，输入和输出电压不仅限于此。您可以使用任何电压。他们依赖于变压器使用。波形输出为方波。根据经验，这个电路约100W功率。电路必须按装保险丝，因为过多的输入电流流动时，振荡器停止。直流变交流简易电路图（二）该电路实际上是一个数字式准正弦波DC／AC逆变器，具有以下特点：（1）采用脉宽调制式开关电源电

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[常见问题解答]MOSFET结构与工作原理详解[ 2019-12-19 12:13 ]

MOSFET结构与工作原理详解1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管

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[常见问题解答]功率场效应晶体管(MOSFET)原理知识[ 2019-10-26 11:59 ]

功率场效应晶体管(MOSFET)原理功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压控制器件，不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz，特别适于高频化电力电子装置，如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、航空航天以及汽车等电子电器设备中。但因为其电流、热容量小，耐压低，一般只适用于小功率电力电子装置。一、电力场效应管的结构和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分

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[常见问题解答]MOS场效晶体管-功率场效晶体管结构和工作原理[ 2019-09-16 12:02 ]

功率场效应晶体管（P-MOSFET）简称功率MOSFET，是使用大都载流子导电的半导体器材，且导通时只要一种极性的载流子参加导电，是单极型晶体管。与使用少数载流子导电的双极型功率晶体管比较，功率 MOSFET 只靠单一载流子导电，不存在存储效应，因而其关断进程十分敏捷，其开关时间在 10 - 100ns 之间，作业频率可达 100kHz以上，最高能够到达500kHz。功卒MOSFET、开关速度快，作业频率高，能够使高频率开关电源在设计时体积更小、质量更轻，习惯开关电源小型化、高效率化和高可靠性的开展请求。

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