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6N65L-TN3-R场效应管,6N65L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-18 浏览:-

6N65L-TN3-R场效应管,6N65L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微

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6N65L-TN3-R场效应管(6A,650V N沟道功率场效应晶体管)封装形式为:TO252

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6N65L-TN3-R

6N65L-TN3-R的概述:

6N65L-TN3-R 是一款高压功率 MOSFET,旨在具有更好的特性,例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 这种功率 MOSFET 通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。

The 6N65L-TN3-R is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge,low on-state resistance and high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications of switching power supplies and adaptors. 

6N65L-TN3-R的特性:

RDS(ON)<1.7Ω @VGS=10V

快速切换能力 Fast switching capability

雪崩能量测试 Avalanche energy tested

改进的 dv/dt 能力,高耐用性 Improved dv/dt capability, high ruggedness 

6N65L-TN3-R的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):

6N65L-TN3-R的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明)

注意: 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。

2. 重复评级:脉冲宽度受TJ限制

3. L=24mH,IAS=6A,VDD=90V,RG=25 Ω,启动TJ=25°C

4. ISD≤6.2A,di/dt≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ=25°C

6N65L-TN3-R的引脚说明:

6N65L-TN3-R的引脚说明

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