2N65KL-TN3-R场效应管参数中文资料 现货替代 厂家直营 - 壹芯微

2N65KL-TN3-R场效应管（2A,650V N沟道功率场效应晶体管）封装形式为：TO252

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2N65KL-TN3-R的概述：

2N65K是一种高压功率MOSFET，旨在具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC到DC转换器和桥式电路中的高速开关应用。

The 2N65K is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.

2N65KL-TN3-R的特性：

RDS(ON)<6.0Ω @VGS=10V，ID=1A

快速切换能力 Fast switching capability

指定雪崩能量 Avalanche energy specified

改进的dv/dt能力，高耐用性 Improved dv/dt capability, high ruggedness

2N65KL-TN3-R的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

注意： 1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值，并不暗示功能设备操作。Notes: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied.

2. 重复评级：脉冲宽度受TJ限制。2. Repetitive Rating : Pulse width limited by TJ.

3. L=20mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 Ω, 起始 TJ=25°C 3. L=20mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=25 ?, Starting TJ=25°C

4. ISD≤2.4A，di/dt≤200A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25°C 4. ISD ≤ 2.4A, di/dt ≤ 200A/μs, VDD ≤ BVDSS, Starting TJ=25°C 

2N65KL-TN3-R的引脚说明：

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