UTT60N10L-TN3-R(MOS场效应管) UTT60N10L-TN3-R参数中文资料 - 壹芯微
UTT60N10L-TN3-R场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):100V;电流(ID):60A;封装(Pageke):TO-252;
大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号
RDS(ON)=18mΩ @ VGS=10V,ID=20A
高开关速度
高电流容量
低栅极电荷(典型值为 50nC)
Drain-Source Voltage漏源电压VDSS 100 V
Gate-Source Voltage栅源电压 VGSS ±20 V
Drain Current Continuous连续ID 60 A 漏极电流
Pulsed脉冲IDM 100 A
Avalanche Energy Single Pulsed雪崩能量单脉冲EAS 270 mJ
TO-220 100瓦
TO-220F1 70瓦
TO-252 114 W Power Dissipation功耗
TO-3P PD 118瓦
结温TJ 150°C
储存温度TSTG -55~150°C
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