IRFR4510场效应管参数中文资料 MOS管选型替代 生产厂家 - 壹芯微
IRFR4510场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):100V;电流(ID):63A;封装(Pageke):TO-252;
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ID@TC=25°C 连续漏极电流,VGS@10V(Silicon Limited)63A
D@TC=100°C 连续漏极电流,VGS@10V(Silicon Limited)45A
ID@TC=25°C 连续漏极电流,VGS@10V(封装受限)56A
IDM 脉冲漏极电流① 252A
PD @TC=25° 最大功耗 143W
线性降额系数 0.95W/°C
VG 栅源电压 ±20V
TJ 工作结点 -55 至 +175°C
TST 储存温度范围 -55 至 +175°C
焊接温度,10 秒(距外壳 1.6mm) 300°C
壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售,至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们,免费试样热线:13534146615(微信同号) QQ:2881579535 或请咨询官网在线客服。
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