ATP404 TO252场效应MOS管参数规格书 选型替换 - 壹芯微

ATP404场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：95A；封装(Pageke)：TO-252；

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漏源电压 VDSS 60 V

栅源电压 VGSS ±20 V

漏极电流 (DC) ID 95 A

漏极电流（脉冲）IDP PW≤10μs，占空比≤1% 380 A

允许功耗 PD Tc=25°C 70 W

通道温度 Tch 150 °C

存储温度 Tstg --55 至 +150 °C

雪崩能量（单脉冲）*1 EAS 214 mJ

雪崩电流 *2 IAV 48 A

注：*1 VDD=30V，L=100μH，IAV=48A

*2 L≤100μH，单脉冲

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