ATP404 TO252场效应MOS管参数规格书 选型替换 - 壹芯微
ATP404场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):60V;电流(ID):95A;封装(Pageke):TO-252;
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漏源电压 VDSS 60 V
栅源电压 VGSS ±20 V
漏极电流 (DC) ID 95 A
漏极电流(脉冲)IDP PW≤10μs,占空比≤1% 380 A
允许功耗 PD Tc=25°C 70 W
通道温度 Tch 150 °C
存储温度 Tstg --55 至 +150 °C
雪崩能量(单脉冲)*1 EAS 214 mJ
雪崩电流 *2 IAV 48 A
注:*1 VDD=30V,L=100μH,IAV=48A
*2 L≤100μH,单脉冲
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