NVD5862N(MOS场效应管) NVD5862N主要参数中文资料 - 壹芯微
NVD5862N场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):60V;电流(ID):98A;封装(Pageke):TO-252;
大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号
• 60V 5.7mΩ @ 98A
• 低 RDS(on)以最大限度地减少传导损耗
• 高电流能力
• 指定雪崩能量
• AEC-Q101认证和PPAP能力
• 这些器件无铅、无卤素/无BFR且符合RoHS
合规
Drain−to−Source Voltage 漏源电压 VDSS:60V
Gate−to−Source Voltage 栅源电压 VGSL:20V
Continuous Drain Current 连续漏极电流 RθJC(注 1)稳定的状态TC=25°C ID:98A
Continuous Drain Current 连续漏极电流 RθJC(注 1)稳定的状态TC=100°C ID:69A
Power Dissipation 功耗 RθJC(注 1)稳定的状态TC=25°C PD:115W
Power Dissipation 功耗 RθJC(注 1)稳定的状态TC=25°C PD:58W
Continuous Drain Current 连续漏极电流 RθJA(注 1和2)稳定的状态TC=25°C ID:18A
Continuous Drain Current 连续漏极电流 RθJA(注 1和2)稳定的状态TC=100°C ID:13A
Power Dissipation 功耗 RθJA(注 1和2)稳定的状态TC=25°C PD:4.1W
Power Dissipation 功耗 RθJA(注 1和2)稳定的状态TC=100°C PD:2.0W
Pulsed Drain Current 脉冲漏极电流 TA=25°C, tp=10μs IDM:367A
Current Limited by Package 电流受封装限制 TA=25°C IDmaxpkg:60A
Operating Junction and Storage Temperature 工作结点和存储温度 TJ, Tstg:−55 to 175°C
Source Current (Body Diode) 源电流(体二极管) IS:96A
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy 单脉冲漏源雪崩能量 EAS:205mJ
Lead Temperature for Soldering Purposes 用于焊接目的的引线温度 TL:260°C
超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏
设备。如果超过这些限制中的任何一个,设备功能不应
假设,可能会发生损坏并影响可靠性。
壹芯微致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产与销售,至今已有20年半导体行业研发、制造经验。目前壹芯微产品已经在便携性设备、电动车、LED照明、家电、锂电保护、电机控制器等领域获得广泛应用,帮助合作伙伴解决符合国情、符合国际质量的国内优质产品。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制二三极管MOS管产品。直接百度搜索“壹芯微”即可找到我们,免费试样热线:13534146615(微信同号) QQ:2881579535 或请咨询官网在线客服。
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