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FDD8444 TO-252 MOS管40V 145A N沟道 足参数

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-11 浏览:-

FDD8444 TO-252 MOS管40V 145A N沟道 足参数

FDD8444 TO-252 MOS管40V 145A N沟道 足参数

FDD8444(N沟道增强型场效应晶体管);FDD8444场效应管参数;FDD8444场效应管封装引脚图;FDD8444场效应管中文资料规格书(PDF);  

电流(ID):145A,电压(VDSS):40V,封装形式:TO252

FDD8444

产品概要

典型 rDS(on)=4mΩ at VGS=10V, ID=50A

典型值Qg(10)=89nC,VGS=10V

低米勒电荷

低Qrr体二极管

UIS能力(单脉冲/重复脉冲)

符合AECQ101

符合RoHS

绝对最大额定参数(TC=25C,除非另有说明)

VDSS 漏源电压:40V

VGS 栅源电压:±20V

ID 漏极电流连续 (VGS=10V)(注 1):145A

ID 连续(VGS = 10V,RθJA = 52 A oC/W):20A

ID脉冲图:4A

EAS单脉冲雪崩能量(注2):535mJ

PD功耗:153W

25°C以上PD降额:1.02W/°C

TJ, TSTG 操作和储存温度:-55 to +175°C

FDD8444参数

FDD8444参数

FDD8444参数

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