NCEP60T15K TO252场效应晶体管参数规格书 选型替换 - 壹芯微
NCEP60T15K场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):60V;电流(ID):150A;封装(Pageke):TO-252;
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Drain-Source Voltage 漏源电压 VDS 60 V
Gate-Source Voltage 栅源电压 VGS ±20 V
Drain Current-Continuous 漏极电流连续(硅限制) ID 150 A
Drain Current-Continuous 漏极电流-连续(TC=100℃) ID (100℃) 110 A
Pulsed Drain Current 脉冲漏极电流 IDM 600 A
Maximum Power Dissipation 最大功耗 PD 180 W
Derating factor 降额系数 1.2 W/℃
Single pulse avalanche energy 单脉冲雪崩能量(注 5) EAS 800 mJ
Operating Junction and Storage Temperature Range 工作结点和存储温度范围 TJ,TSTG -55 至 175 ℃
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