FDD5N50场效应管参数 (MOS管) FDD5N50规格书参数代换〔壹芯微〕
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FDD5N50场效应管主要参数(最大额定值):
漏源电压(VDSS):500V
栅源电压(VGSS):±30V
雪崩电流(IAR):4A
漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):4A
漏极电流-连续(TJ=100°C)(ID):2.4A
漏极电流-脉冲(IDM):16A
单脉冲雪崩能量(EAS):256mJ
重复雪崩能量(EAR):4mJ
二极管恢复峰值(dv/dt):4.5V/ns
功耗(TC=25°C)(PD):40W
功耗(25°C以上)(PD):0.3W
工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~+150°С
热阻-结到外壳(RθJC):1.4°C/W
热阻-结到环境(RθJA):110°C/W
焊接的最高引线温度(TL):300°С
〔壹芯微〕国内功率半导体制造厂商,主营各类贴片与直插,二极管、三极管、MOS(场效应管)、可控硅、三端稳压管、整流桥,IC(集成电路);参数达标,质量保障,工厂直销(价省20%),免费送样,选型替代,技术支持,专业售后,如需了解产品详情或最新报价,欢迎咨询官网在线客服。
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