SDU05N04场效应管参数 (MOS管) SDU05N04规格书参数代换〔壹芯微〕
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SDU05N04场效应管主要参数(最大额定值):
漏源电压(VDSS):400V
栅源电压(VGSS):±30V
漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):4A
漏极电流-连续(TJ=70°C)(ID):3.3A
漏极电流-脉冲(IDM):12A
单脉冲雪崩能量(EAS):2.5mJ
功耗(TC=25°C)(PD):68W
功耗(TC=70°C)(PD):48W
工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~175°С
热阻-结到外壳(RθJC):2.2°C/W
热阻-结到环境(RθJA):50°C/W
SDU05N04场效应管封装规格:
TO-252(D-PAK),TO-251S(I-PAK),TO-251L(I-PAK)
〔壹芯微〕国内功率半导体制造厂商,主营各类贴片与直插,二极管、三极管、MOS(场效应管)、可控硅、三端稳压管、整流桥,IC(集成电路);参数达标,质量保障,工厂直销(价省20%),免费送样,选型替代,技术支持,专业售后,如需了解产品详情或最新报价,欢迎咨询官网在线客服。
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