CJU04N65场效应管参数 CJU04N65参数资料规格书〔壹芯微〕
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漏源电压(VDSS):650V
栅源电压(VGSS):±30V
漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):4.0A
漏极电流-脉冲(IDM):16A
单脉冲雪崩能量(EAS):280mJ
功耗(TC=25°C)(PD):1.25W
工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~+150°С
焊接的最高引线温度(TL):260°С
〔壹芯微〕国内功率半导体制造厂商,主营各类贴片与直插,二极管、三极管、MOS(场效应管)、可控硅、三端稳压管、整流桥,IC(集成电路);参数达标,质量保障,工厂直销(价省20%),免费送样,选型替代,技术支持,专业售后,如需了解产品详情或最新报价,欢迎咨询官网在线客服。
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