CJU01N65B场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微

CJU01N65B的概述：

这种先进的高压 MOSFET 设计用于承受雪崩模式下的高能量并有效切换。 这个新高能器件还提供快速漏源二极管恢复时间。 专为高电压、高速开关而设计电源、转换器、动力电机等应用控制和桥接电路。

This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high speed switching applications such as power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits. 

CJU01N65B的特性：

高额定电流  High Current Rating

降低 RDS(on)  Lower RDS(on)

较低的电容  Lower Capacitance

降低总栅极电荷  Lower Total Gate Charge

更严格的 VSD 规格  Tighter VSD Specifications

雪崩能量指定  Avalanche Energy Specified

CJU01N65B的绝对最大额定值（TC = 25°C，除非另有说明）：

CJU01N65B的电气特性（TC =25°С，除非另有说明）：

注意事项：1. L=10mH, IL=1 A, VDD=50V, VGS=10V,RG=25Ω,启动TJ=25℃。2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。3.这些参数没有办法验证。

Notes :1. L=10mH, IL=1 A, VDD=50V, VGS=10V,RG=25?,Starting TJ=25℃. 2. Pulse Test : Pulse width≤300µs, duty cycle ≤2%. 3. These parameters have no way to verify. 

CJU01N65B的引脚说明：

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