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CJU01N65B场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-17 浏览:-

CJU01N65B场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微

    型号        极性        电压        电流        封装    
CJU01N65BN沟道650V
1ATO-252

CJU01N65B的概述:

这种先进的高压 MOSFET 设计用于承受雪崩模式下的高能量并有效切换。 这个新高能器件还提供快速漏源二极管恢复时间。 专为高电压、高速开关而设计电源、转换器、动力电机等应用控制和桥接电路。

This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high voltage, high speed switching applications such as power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits. 

CJU01N65B的特性:

高额定电流  High Current Rating

降低 RDS(on)  Lower RDS(on)

较低的电容  Lower Capacitance

降低总栅极电荷  Lower Total Gate Charge

更严格的 VSD 规格  Tighter VSD Specifications

雪崩能量指定  Avalanche Energy Specified

CJU01N65B的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):

CJU01N65B的绝对最大额定值:TC = 25°C,除非另有说明

CJU01N65B电气特性(TC =25°С,除非另有说明):

CJU01N65B的电气特性(TC =25°С,除非另有说明)

注意事项:1. L=10mH, IL=1 A, VDD=50V, VGS=10V,RG=25Ω,启动TJ=25℃。2. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%。3.这些参数没有办法验证。

Notes :1. L=10mH, IL=1 A, VDD=50V, VGS=10V,RG=25?,Starting TJ=25℃. 2. Pulse Test : Pulse width≤300µs, duty cycle ≤2%. 3. These parameters have no way to verify. 

CJU01N65B的引脚说明:

CJU01N65B的引脚说明

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