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4N65ZG-TN3-R TO252 N沟道 高压650V 2A - 场效应MOS管 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-17 浏览:-

4N65ZG-TN3-R TO252 N沟道 高压650V 4A - 场效应MOS管 - 壹芯微

    型号        极性        电压        电流        封装    
4N65ZG-TN3-RN沟道650V
4ATO-252
4N65ZG-TN3-R的概述:

4N65ZG-TN3-R是一款高压功率MOSFET具有更好的特性,例如快速开关时间、低栅极充电、低通态电阻和高坚固性雪崩特征。 这种功率MOSFET通常用于高速开关应用,包括电源、PWM电机控制、高效直流到直流转换器和桥接电路。

The 4N65ZG-TN3-R is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFET is usually used in high speed switching applications including power supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits. 

4N65ZG-TN3-R的特性:

高额定电流  High Current Rating

降低RDS(on)  Lower RDS(on)

低电容  Lower Capacitance

降低总栅极电荷  Lower Total Gate Charge

更严格的VSD规格  Tighter VSD Specifications

雪崩能量指定  Avalanche Energy Specified

4N65ZG-TN3-R的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明):

4N65ZG-TN3-R的绝对最大额定值(TC = 25°C,除非另有说明)

4N65ZG-TN3-R电气特性(TC =25°С,除非另有说明):

4N65ZG-TN3-R的电气特性(TC =25°С,除非另有说明)

注意事项:1. L=10mH, IL=1 A, VDD=50V, VGS=10V,RG=25Ω,启动TJ=25℃。2. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%。3.这些参数没有办法验证。

Notes :1. L=10mH, IL=1 A, VDD=50V, VGS=10V,RG=25?,Starting TJ=25℃. 2. Pulse Test : Pulse width≤300µs, duty cycle ≤2%. 3. These parameters have no way to verify.

4N65ZG-TN3-R的引脚说明:

image.jpg

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