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4N65L-TN3-T场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-09-17 浏览:-

4N65L-TN3-T场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微

    型号        极性        电压        电流        封装    
4N65L-TN3-TN沟道650V
4ATO-252

4N65L-TN3-T的详细参数:

参数名称参数值
是否Rohs认证 符合
生命周期Active
Objectid1052508556
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.83
雪崩能效等级(Eas)200 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻2.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)18 pF
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)16 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)285 ns
最大开启时间(吨)180 ns

4N65L-TN3-T的绝对最大额定值:TC = 25°C,除非另有说明:

4N65L-TN3-T的绝对最大额定值:TC = 25°C,除非另有说明

注意:1. 绝对最大额定值是指超出该值可能会永久损坏设备的那些值。绝对最大额定值仅是应力额定值,并不暗示功能设备操作。2. 重复额定值:脉冲宽度受最大结温限制。3. L = 30mH,IAS = 3.65A,VDD = 50V,RG = 25 Ω,起始 TJ = 25°C  4. ISD≤4.4A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始TJ = 25°C

Note: 1. Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. 3. L = 30mH, IAS = 3.65A, VDD = 50V, RG = 25 ?, Starting TJ = 25°C 4. ISD≤4.4A, di/dt ≤200A/μs, VDD≤BVDSS, Starting TJ = 25°C 

4N65L-TN3-T的电气特性(TC =25°С,除非另有说明)

4N65L-TN3-T的电气特性(TC =25°С,除非另有说明)

4N65L-TN3-T的引脚说明:


4N65L-TN3-T的引脚说明

4N65L-TN3-T的订购信息:

4N65L-TN3-T的订购信息

注:引脚分配: G:栅极 D:漏极 S:源极

4N65L-TN3-T的订购信息

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