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4N65场效应管参数资料,4N65参数手册PDF下载

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-10-13 浏览:-

4N65场效应管参数资料,4N65参数手册PDF下载

4N65

4N65系列场效应管TO-220封装引脚图:

4N65

壹芯微供应4N65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)

4N65L-TA3-T 4N65G-TA3-T 封装形式TO-220

4N65L-TF1-T 4N65G-TF1-T 封装形式TO-220F1

4N65L-TF2-T 4N65G-TF2-T 封装形式TO-220F2

4N65L-TF3-T 4N65G-TF3-T 封装形式TO-220F

4N65L-TF3T-T 4N65G-TF3T-T 封装形式TO-220F3 

4N65L-TM3-T 4N65G-TM3-T 封装形式TO-251

4N65L-TMS-T 4N65G-TMS-T 封装形式TO-251S

4N65L-TMS2-T 4N65G-TMS2-T 封装形式TO-251S2

4N65L-TMS4-T 4N65G-TMS4-T 封装形式TO-251S4

4N65L-TN3-R 4N65G-TN3-R 封装形式TO-252

4N65L-TND-R 4N65G-TND-R 封装形式TO-252D

4N65L-T2Q-T 4N65G-T2Q-T 封装形式TO-262

4N65L-TQ2-R 4N65G-TQ2-R 封装形式TO-263

4N65L-TQ2-T 4N65G-TQ2-T 封装形式TO-263

4N65G-K08-5060-R 4N65G-K08-5060-R 封装形式DFN5060-8


4N65.pdf 规格书查看下载


4N65系列特性参数如下:

* RDS(ON)<2.5Ω @ VGS=10V,ID=2.2A

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的dv/dt能力,高耐用性

4N65系列绝对最大额定参数如下:(TC=25°C,除非另有说明)

极性:NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:650V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID:4.0A

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-262/TO-263,PD:106W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F3,PD:35W

PowerDissipation功耗,TO-220F2 ,PD:36W

PowerDissipation功耗,TO-251/ TO-251S/TO-251S2/TO-251S4/TO-252/TO-252D,PD:50W

PowerDissipation功耗,DFN5060-8,PD:30W

JunctionTemperature结温,TJ:+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和储存温度,TOPR,TSTG:-55 ~+150°C

4N65

壹芯微4N65规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。


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