4NM65场效应管参数代换,4NM65参数规格书下载
4NM65系列场效应管TO-252封装引脚图:
壹芯微供应4NM65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)
4NM65L-TF3-T 4NM65G-TF3-T 封装形式TO-220F
4NM65L-TF1-T 4NM65G-TF1-T 封装形式TO-220F1
4NM65L-TM3-T 4NM65G-TM3-T 封装形式TO-251
4NM65L-TMS-T 4NM65G-TMS-T 封装形式TO-251S
4NM65L-TN3-R 4NM65G-TN3-R 封装形式TO-252
4NM65.pdf 规格书查看下载
4NM65系列特性参数如下:
* RDS(ON)≤1.4Ω @ VGS=10V, ID=2.0A
* 快速切换能力
* 指定雪崩能量
* 改进的dv/dt能力,高耐用性
4NM65系列绝对最大额定参数如下:(TC=25°C,除非另有说明)
极性:NPN
Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:650V
Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±30V
DrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID:4.0A
PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD:24W
PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251S/TO-252,PD:46W
JunctionTemperature结温,TJ:+150°C
StorageTemperature储存温度,TSTG:-55 ~+150°C
壹芯微4NM65规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。
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