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4NM65场效应管参数代换,4NM65参数规格书下载

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-10-13 浏览:-

4NM65场效应管参数代换,4NM65参数规格书下载

4NM65

4NM65系列场效应管TO-252封装引脚图:

4NM65

壹芯微供应4NM65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)

4NM65L-TF3-T 4NM65G-TF3-T 封装形式TO-220F

4NM65L-TF1-T 4NM65G-TF1-T 封装形式TO-220F1

4NM65L-TM3-T 4NM65G-TM3-T 封装形式TO-251

4NM65L-TMS-T 4NM65G-TMS-T 封装形式TO-251S

4NM65L-TN3-R 4NM65G-TN3-R 封装形式TO-252


4NM65.pdf 规格书查看下载


4NM65系列特性参数如下:

* RDS(ON)≤1.4Ω @ VGS=10V, ID=2.0A

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的dv/dt能力,高耐用性

4NM65系列绝对最大额定参数如下:(TC=25°C,除非另有说明)

极性:NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:650V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID:4.0A

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD:24W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251S/TO-252,PD:46W

JunctionTemperature结温,TJ:+150°C

StorageTemperature储存温度,TSTG:-55 ~+150°C

4NM65

壹芯微4NM65规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。


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