2N65场效应管参数资料大全,2N65代换选型手册

2N65系列场效应管TO-252封装引脚图：

壹芯微供应2N65系列的场效应管型号如下（尾缀不同，参数一致，主要区分材质、封装与包装方式）

2N65L-TA3-T 2N65G-TA3-T 封装形式TO-220

2N65L-TF1-T 2N65G-TF1-T 封装形式TO-220F1

2N65L-TF2-T 2N65G-TF2-T 封装形式TO-220F2

2N65L-TF3-T 2N65G-TF3-T 封装形式TO-220F

2N65L-TF3T-T 2N65G-TF3T-T 封装形式TO-220F3

2N65L-TM3-T 2N65G-TM3-T 封装形式TO-251

2N65L-TMA-T 2N65G-TMA-T 封装形式TO-251L

2N65L-TMS-T 2N65G-TMS-T 封装形式TO-251S

2N65L-TN3-R 2N65G-TN3-R 封装形式TO-252

2N65L-TN3-T 2N65G-TN3-T 封装形式TO-252

2N65L-T2Q-T 2N65G-T2Q-T 封装形式TO-262

2N65L-T60-K 2N65G-T60-K 封装形式TO-126

2N65L-T6C-K 2N65G-T6C-K 封装形式TO-126C

2N65.pdf 规格书查看下载

2N65系列特性参数如下：

* RDS(ON)<5.0Ω @ VGS=10V

* UltraLowGateCharge（典型值45nC）

* 低反向传输电容（CRSS=典型9pF）

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的dv/dt能力，高耐用性

2N65系列绝对最大额定参数如下：（TC=25°C，除非另有说明）

极性：NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,V_DSS：650V

Gate-SourceVoltage栅源电压,V_GSS：±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,I_D：2A

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-262 ,P_D：40W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1/TO-220F3,P_D：21W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,P_D：23W

PowerDissipation功耗,TO-251/TO-251L/TO-252/TO-251S,P_D：28W

PowerDissipation功耗,TO-126/TO-126C,P_D：12.5W

JunctionTemperature结温,T_J：+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和储存温度,T_OPR,T_STG：-55 ~+150°C

壹芯微2N65规格书下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

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