12N65场效应管参数,12N65参数规格书选型代换
12N65系列场效应管TO-220封装引脚图:
壹芯微供应12N65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)
12N65L-TA3-T 12N65G-TA3-T 封装形式TO-220
12N65L-TF1-T 12N65G-TF1-T 封装形式TO-220F1
12N65L-TF2-T 12N65G-TF2-T 封装形式TO-220F2
12N65L-TF3-T 12N65G-TF3-T 封装形式TO-220F
12N65L-T2Q-T 12N65G-T2Q-T 封装形式TO-262
12N65L-TQ2-T 12N65G-TQ2-T 封装形式TO-263
12N65L-TQ2-R 12N65G-TQ2-R 封装形式TO-263
12N65L-T3P-T 12N65G-T3P-T 封装形式TO-3P
12N65L-T3N-T 12N65G-T3N-T 封装形式TO-3PN
12N65.pdf 规格书查看下载
12N65系列特性参数如下:
* RDS(ON)<0.85Ω @ VGS=10V,ID=6.0A
* 超低栅极电荷(典型值 42 nC)
* 低反向传输电容(CRSS=典型值25pF)
* 快速切换能力
* 指定雪崩能量
* 改进的dv/dt能力,高耐用性
12N65系列绝对最大额定参数如下:(TC=25°C,除非另有说明)
极性:NPN
Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:650V
Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±30V
DrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID:12A
PowerDissipation功耗,TO-220/TO-262/TO-263,PD:225W
PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD:50W
PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1 ,PD:51W
PowerDissipation功耗,TO-220F2,PD:54W
PowerDissipation功耗,TO-3P/TO-3PN,PD:260W
Junction Temperature结温,TJ:+150°C
OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和储存温度,TOPR,TSTG:-55 ~+150°C
壹芯微12N65规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。
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