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12N65场效应管参数,12N65参数规格书选型代换

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-10-12 浏览:-

12N65场效应管参数,12N65参数规格书选型代换

12N65

12N65系列场效应管TO-220封装引脚图:

12N65

壹芯微供应12N65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)

12N65L-TA3-T 12N65G-TA3-T 封装形式TO-220

12N65L-TF1-T 12N65G-TF1-T 封装形式TO-220F1

12N65L-TF2-T 12N65G-TF2-T 封装形式TO-220F2

12N65L-TF3-T 12N65G-TF3-T 封装形式TO-220F

12N65L-T2Q-T 12N65G-T2Q-T 封装形式TO-262

12N65L-TQ2-T 12N65G-TQ2-T 封装形式TO-263

12N65L-TQ2-R 12N65G-TQ2-R 封装形式TO-263

12N65L-T3P-T 12N65G-T3P-T 封装形式TO-3P

12N65L-T3N-T 12N65G-T3N-T 封装形式TO-3PN


12N65.pdf 规格书查看下载


12N65系列特性参数如下:

* RDS(ON)<0.85Ω @ VGS=10V,ID=6.0A

* 超低栅极电荷(典型值 42 nC)

* 低反向传输电容(CRSS=典型值25pF)

* 快速切换能力

* 指定雪崩能量

* 改进的dv/dt能力,高耐用性

12N65系列绝对最大额定参数如下:(TC=25°C,除非另有说明)

极性:NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:650V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID:12A

PowerDissipation功耗,TO-220/TO-262/TO-263,PD:225W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD:50W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1 ,PD:51W

PowerDissipation功耗,TO-220F2,PD:54W

PowerDissipation功耗,TO-3P/TO-3PN,PD:260W

Junction Temperature结温,TJ:+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和储存温度,TOPR,TSTG:-55 ~+150°C

12N65

壹芯微12N65规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。


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