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10N65场效应管参数资料大全,10N65代换选型手册

返回列表来源:壹芯微 发布日期 2021-10-12 浏览:-

10N65场效应管参数资料大全,10N65代换选型手册

10N65

10N65系列场效应管TO-220封装引脚图:

10N65

壹芯微供应10N65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)

10N65L-TA3-T 10N65G-TA3-T 封装形式TO-220

10N65L-TF1-T 10N65G-TF1-T 封装形式TO-220F1

10N65L-TF2-T 10N65G-TF2-T 封装形式TO-220F2

10N65L-TF3-T 10N65G-TF3-T 封装形式TO-220F

10N65L-T2Q-T 10N65G-T2Q-T 封装形式TO-262 

10N65L-TQ2-T 10N65G-TQ2-T 封装形式TO-263

10N65L-TQ2-R 10N65G-TQ2-R 封装形式TO-263


10N65.pdf 规格书查看下载


10N65系列特性参数如下:

* RDS(ON)<0.86Ω @ VGS=10V

* 低栅极电荷(典型值为44nC)

* 低Crss(典型值18pF)

* 快速切换

* 100%雪崩测试

* 改进的dv/dt功能

10N65系列绝对最大额定参数如下:(TC=25°C,除非另有说明)

极性:NPN

Drain-SourceVoltage漏源电压,VDSS:650V

Gate-SourceVoltage栅源电压,VGSS:±30V

DrainCurrentContinuous漏极电流连续,ID:10A

PowerDissipation功耗,TO-220,PD:156W

PowerDissipation功耗,TO-220F/TO-220F1,PD:50W

PowerDissipation功耗,TO-220F2 ,PD:52W

PowerDissipation功耗,TO-262 ,PD:156W

PowerDissipation功耗,TO-263,PD:178W

Junction Temperature结温,TJ:+150°C

OperationTemperatureAndStorageTemperature工作和储存温度,TOPR,TSTG:-55 ~+150°C

10N65

壹芯微10N65规格书下还有热特性,静态特性与电气参数等,建议自行阅读观看。


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