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型号:SI2302;极性:N沟道;ID/VDSS:2.5A/20V;封装:SOT-23 ,N沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
型号:SI2301;极性:P沟道;ID/VDSS:-2.4A/-20V;封装:SOT-23,P沟道增强型场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor)
型号:SI2300;极性:N沟道;ID/VDSS:3.8A/20V;封装:SOT-23 SI2300采用先进的沟槽工艺技术,用于超低导通电阻的高密度电池设计,高功率和电流处理能力,锂离子电池组应用的理想选择包装尺寸。
型号:AO3415;极性:P沟道;ID/VDSS:-4A/-20V;封装:SOT-23 AO3415 使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压操作。该设备适合用作负载开关应用。
型号:AO3402;极性:N沟道;ID/VDSS:4A/30V;封装:SOT-23AO3402使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。
AO3401是P沟道MOS场效应管(MOSFET),AO3401使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3401不含铅(符合 R...
AO3400是N沟道NMOS场效应管,AO3401则是P沟道PMOS管,两者沟道不同,其他性能基本一致,Vds:-30V;Id:-4A;是其AO34xx代号的意思,代表主要性能;在低压开关时建议使用AO3400,AO34...
「TIP31C,TIP32C」晶体管之负载开关等效电路图 - 壹芯微型号:TIP31C(3000mA,100V) TIP32C(3000mA,100V)封装:TO-220/TO-252品牌:壹芯微|类型:晶体...
「12N65」MOS场效应管导通条件和基本开关电路解析型号:12N65(12A,650V)封装:TO-220品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询导通条件NMOS管和PM...
「10N65」MOS场效应管相关知识看这一篇就够了型号:10N65(10A,650V)封装:TO-220品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询场效应管分类场效应管分为结型...
「TIP127」 晶体管内部的工作原理解析型号:TIP127(8000mA,100V)封装:TO-220/TO-252品牌:壹芯微|类型:晶体管TRANSISTORS多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询晶体管...
「TIP122」晶体三极管工作原理解析 - 壹芯微型号:TIP122(8000mA,100V)封装:TO-220/TO-252品牌:壹芯微|类型:晶体管TRANSISTORS多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨...
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