13534146615
传真:0755-61306771
QQ:2881579535
地址:安徽省六安市金寨产业园区
激光二极管的原理与结构介绍激光二极管是上世纪60年代发明的一种光源半导体激光器,又称镭射管(LaserDiode)。LASER是取"LightAmplificationbyStimulatedEmissiono...
肖特基二极管的原理与封装介绍肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。早在20世纪40年代,人们就开始利用金属...
STD3NK50Z参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微STD3NK50Z中文参数,STD3NK50Z封装引脚图,STD3NK50Z数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)STD3NK50Z场效应管封装TO...
TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微TK3P50D中文参数,TK3P50D封装引脚图,TK3P50D数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)TK3P50D场效应管封装TO-252特征开关稳压...
电容的充放电原理解析电容是一种以电场形式储存能量的无源器件。在需要的时候,电容能够把储存的能量释出至电路。电容由两块导电的平行板构成,在板之间填充上绝缘物质或介电物质。下面介绍电容的充放电原理。电容(或称电容量)是表现电...
电容的Q值与D值知识介绍在做射频的时候,选择电感电容时特别关注他们的Q值,那什么是Q值呢?Q值是什么意思,它为什么重要?品质因数Q:表征一个储能器件(如电感线圈、电容等)、谐振电路所储能量同每周损耗能量之比的一种质量指标...
独石电容结构与作用知识介绍独石电容器是多层陶瓷电容器的别称,简称MLCC。由于独石电容属于陶瓷电容,因此它具有陶瓷电容的基本特性:电容量大(电容值可以做到1uF)、体积小、电容量比较稳定,温漂系数小、寿命长、等效直流电阻...
使用电容器抑制电磁干扰需要注意的事项电容器是电路中最基本的元件之一,利用电容滤除电路上的高频骚扰和对电源解耦是所有电路设计人员都熟悉的。但是,随着电磁干扰问题的日益突出,特别是干扰频率的日益提高,由于不了解电容的基本特性...
X电容与Y电容的介绍安规电容之所以称之为安规,它是指用于这样的场合:即电容器失效后,不会导致电击,也不危及人身安全。安规电容包含X电容和Y电容两种,它普通电容不一样的是,普通电容即使在外部电源断开之后,它内部储存电荷依然...
基于恒电流二极管的LED驱动电路设计介绍当前LED照明正逐渐兴起,其具有体积小、功耗低、寿命长、节能环保无污染等特征。LED是电流驱动器件,其亮度与正向电流成正比,为保证LED发光高效均匀、LED驱动源应为恒电流输出。而...
二极管整流电路工作原理图解析二极管最流行的应用是整流。简单定义,整流是将交流电(AC)转换为直流电(DC)。这涉及一种仅允许电荷单向流动的装置,最简单的整流电路是半波整流器,它只允许交流波形的一半通过到负载。整流电路的作...
? 低栅极电荷Qg导致简单驱动要求 ? 改进的门限、雪崩和动态dV/dt坚固性 ? 充分表征电容和雪崩电压和电流 ? 指定有效成本 ? 材料分类:用于合规性定义 应用:开关电源(SMPS),不间断电源供应,高速...
SVF3N50D/MJ,N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高 的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用...
FIR5N50BPG,LG硅N沟道增强型VDMOSFET,采用自对准平面技术获得,可降低传导损耗,提高开关性能并增强雪崩能量。 该晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。 封装形式为符合RoHS标准的TO-...
GaAs二极管在高性能电源转换中的作用介绍 GaAs二极管是一种新型宽带隙功率半导体,它为设计人员提供了一种在高性能功率转换中权衡效率和成本的方法。高压硅二极管具有较低的正向传导压降,但由于其反向恢复行为,会在电源转换...
开关二极管的工作原理及电路图介绍 在查看电子元器件时,很容易忽略不起眼的二极管,它们没有隧道、Gunn、变容二极管、齐纳二极管和雪崩二极管,甚至LED中的任何特殊部件,相反,它们只是电流的单向阀。以一种方式将它们连接起...
· 原创新设计 · 卓越的雪崩坚固技术 · 强大的栅极氧化技术 · 极低的固有电容 · 优良的开关特性 · 无与伦比的栅极电荷:13 nC(典型值) · 扩展安全操作区 · 降低 RDS(ON) ? 7\S...
AP02N40系列来自创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。 它为设计师提供具有极其高效的设备,可用于各种功率应用程序。TO-252封装广泛适用于商业工业表面贴装应用,适用于低电压应用如DC/DC...
第三代功率MOSFET提供了设计师与快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备设计,低导通电阻和成本效益。DPAK设计用于使用蒸汽进行表面安装相位、红外或波峰焊接技术。 直的引线版本(IRFU、SiHFU系列)用于通孔安装应用。...
HMC358MS8GETR中文参数 规格书PDF 电路图描述HMC358MS8GETR为砷化镓InGaP异质结双极晶体管(HBT)MMICVCO。HMC358MS8GETR集成了谐振器、负电阻器件、变容二极管和缓冲放大器...
工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
电话:13534146615
企业QQ:2881579535
深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号