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直流变换器电路图12V转24V介绍改变一下电阻,即可改变成15V、16V、18V、20V、22V、24V等不同类型电压值。 L1用直径2cm的磁环,1.7的聚酯漆包线紧密穿绕35匝,然后用硅橡胶密封,否则容易产...
双向直流变换器电路解析这篇文章中为大家带来双向直流变换器及其工作原理的有关介绍,主要内容如下。双向变换器也就是双向DC-DC变换器,双向DC-DC变换器是实现直流电能双向流动的装置,主要应用于混合动力汽车和直流不间断供电...
直流变换器电路组成结构与设计原则介绍在这篇文章中,将对变换器" target="_blank">直流变换器的相关内容和情况加以介绍。一、直流变换器组成结构1、主电路又叫作功率模块,是整...
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功率MOSFET如何正确选择鉴于现在可用的 MOSFET 可供选择的范围很广,并且分配给主板电源的空间越来越小,使用可靠、一致的方法来选择正确的 MOSFET 变得越来越重要。这种方法可以加快开发周期,同时优化特定应用的...
集成电路的应用介绍集成电路是指采用一定的工艺,把一个电路中所需的三极管、二极管、电阻、电容、电感等元器件及导线互连在一起,制作在一小块或几小块陶瓷、玻璃或半导体晶片上,然后封装在一起,成为一个能够实现一定电路功能的微型电...
使用集成MOSFET限制电流的方法介绍电子电路中的电流通常必须受到限制。例如,在USB端口中,必须防止电流过大,以便为电路提供可靠的保护。同样,在充电宝中,必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供...
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MOSFET电路图文介绍MOSFET已成为最常用的三端器件,它们非常小,制造过程非常简单。由于MOSFET的特性,模拟电路和数字电路都成功地实现了集成电路,MOSFET电路可以从大信号模型小信号模型两种方式进行分析。大信...
BJT晶体管的工作区域解析晶体管是一种流行的三端半导体器件,用于开关和放大应用。我们今天使用的现代电子产品之所以成为可能,是因为晶体管在大幅减小电路板尺寸方面发挥了巨大作用。BJT晶体管工作区域:熟悉BJT晶体管的下一个...
限幅电路和钳位电路如何用二极管实现本篇将分析限幅电路和钳位电路,是如何用二极管来实现的。限幅电路 如下图所示,当在正半周期,并且VIN大于等于0.7V,二极管正向导通。此时,VOUT会...
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IGBT激光退火技术解析激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤。对离子注入后的硅基IGBT 圆片背面进行激光快速退火,实现激活深度,有效修复离子注入破坏的晶格结构。随着IGBT技术发展和薄片加工工艺研...
MOS管G极与S极之间的电阻作用解析MOS管具有三个内在的寄生电容:Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现(规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替)。MOS管之所以存在米勒效应,以及GS...
CMOS静电和过压问题介绍对于模拟CMOS(互补对称金属氧化物半导体)而言,两大主要危害是静电和过压(信号电压超过电源电压)。了解这两大危害,用户便可以有效应对。 静电由静电荷积累(V=q/C=1k...
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