112019-12 常见问题解答

电子管与晶体管的区别是什么

电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。利用电场对真空中的控制栅极注入电子调制信号，并在阳极获得对信号放大或反馈振荡后...

102019-12 常见问题解答

晶体管的耗散功率知识

晶体管的耗散功率知识晶体管耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。硅管的结温允许值大约为150°...

102019-12 常见问题解答

什么是晶体管-晶体管原理与应用

晶体管原理及应用晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor，BJT)又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变...

102019-12 常见问题解答

可控硅结构静电防护器件降低触发电压提高开启速度的方法

可控硅结构静电防护器件降低触发电压提高开启速度的方法可控硅SCR(Silicon Controlled Rectifier)结构静电防护器件由于其自身的正反馈机制，具有单位面积泄放电流高、导通电阻小、鲁棒性强、防护级别高...

102019-12 常见问题解答

怎么让TVS管达到最佳电路保护

怎么让TVS管达到最佳电路保护瞬态电压抑制管TVS具有响应速度快、瞬态功率大、漏电流低、击穿点烟偏差下，箝位电压较易控制、体积小等特点。目前，TVS管已广泛应用于通信设备、交/直流电源、汽车、家用电器、仪器仪表、新能源等...

102019-12 常见问题解答

开关电源整流桥的基础知识

开关电源整流桥的基础知识50Hz交流电压经过全波整流后变成脉动直流电压u1，再通过输入滤波电容得到直流高压U1。在理想情况下，整流桥的导通角本应为180°(导通范围是从 0°～180°)，但由于滤...

092019-12 常见问题解答

常见整流桥电路图汇总

常见整流桥电路图汇总整流电路也分四种类型。第一种是半波整流，半波整流电路一般情况下只需要一个二极管。详细的情况我们可以看下下面的图1，在图1中你能看到在交流电正半周时 VD 导通，负半周时 VD 截止，负载 R 上得到的...

092019-12 常见问题解答

无输入整流桥的单级PFC变换器

无输入整流桥的单级PFC变换器传统AC/DC变换器由于输入整流桥后面直接接储能大电容，导致变换器输入谐波大，功率因素低，并且对电网造成污染。为了减小对谐波的污染，要求 AC/DC变换器必须进行功率因素校正。比较常用的方法...

092019-12 常见问题解答

增强型N沟道场效应管的电池反接保护电路解析

增强型N沟道场效应管的电池反接保护电路解析一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正常工作时有0.6～0.7V的管压降。采用导通电阻低的增强型N沟道场效应管(MOSFET)具有...

092019-12 常见问题解答

场效应管就是电控开关

场效应管在mpn中，它的长相和我们常面讲的三极管非常像，所以有不少修朋友好长时间还分不清楚，统一的把这些长相相同的三极管、场效应管、双二极管、还有各种稳压IC统统称作“三个脚的管管”，如果这样麻木...

092019-12 常见问题解答

增强型-耗尽型MOS场效应管知识

增强型-耗尽型MOS场效应管知识根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域...

072019-12 常见问题解答

二极管与MOS管-防反接保护电路选择哪款

二极管与MOS管-防反接保护电路选择哪款防反接保护电路通常情况下直流电源输入防反接保护电路是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护。如下图1所示：图1 一只串联二极管保护系统不受反向极性影响，二极管有0.7V的压降。这种...

072019-12 常见问题解答

怎么防止MOS管被静电击穿-MOS管击穿了该怎么办

怎么防止MOS管被静电击穿-MOS管击穿了该怎么办MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电(少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压(想想U=Q...

072019-12 常见问题解答

选择mos管的正确步骤-提升效率

选择mos管的正确步骤-提升效率mos管是开关电源和驱动电路中重要的电子零部件，对整个电路的效率和成本具有很大的影响作用。因此，了解如何正确选择mos管可以帮助电路工程师更好地提升工作效率，避免诸多问题。那么选择mos管...

072019-12 常见问题解答

功率MOS管的5种损坏案例详解

功率MOS管的5种损坏案例详解[第一种]雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断...

072019-12 常见问题解答

静电是怎么击穿MOS管的

静电是怎么击穿MOS管的其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是...

062019-12 常见问题解答

MOS管并联的相关知识

MOS管并联的相关知识一、MOS管并联理论：(1)、三极管(BJT)具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。MOS管的这一特性适合并联电路中...

062019-12 常见问题解答

MOS管被击穿的解决方法

MOS管被击穿的解决方法Mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半...

062019-12 常见问题解答

分析开关电源中MOS管开关的全过程

分析开关电源中MOS管开关的全过程极限参数ID：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。MOSFET的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。IDM：最大脉冲漏源电流。反映了器件...

062019-12 常见问题解答

MOS管驱动电路的汇总

MOS管驱动电路的汇总一、MOS管驱动电路综述在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优...