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MOS管击穿-你了解几种-MOS管击穿解析MOS管击穿有哪些?场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G。先讲测试条件,都是源栅衬底都是接地,然后扫描漏极电压,直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看,它的漏电通道...
为什么MOS管饱和区沟道夹断了还有电流以及饱和区电流公式详解随着漏源电压不断增大,当达到夹断电压时,沟道厚度在漏极处减薄为零,沟道在漏极处消失,该处只剩下耗尽层,这是所谓的夹断;漏源电压继续增大,沟道的夹断点向源极方向运...
一种智能的碳化硅MOSFET驱动核和驱动要求与特性详解碳化硅mosfet是什么在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工...
搞懂MOS管半导体结构与如何制造详解MOS管作为半导体领域最基础的器件之一,无论是在IC 设计里,还是板级电路应用上,都十分广泛。MOS管一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(s...
MOS管半导体-MOS管选型和测量方法MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的...
MOS管电压型静电击穿解析-MOS管原厂专业制造今天主要讲MOS管电压型静电击穿特点。其实MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强...
逆变器原理电路分析12V直流变成220V交流电逆变器逆变器原理电路解析,将12V直流变成220V交流电。逆变器是把直流电能(电池、蓄电瓶)转变成定频定压或调频调压交流电(一般为220V,50Hz正弦波)的转换器。它由逆变...
十大最常用电子元器件有哪些和元器件知识解析十大最常用电子元器件有哪些及元器件知识解析 ,对于从事电子行业的工程师来说,电子元器件就像人们日常进口的米饭一样,是每天都需要去接触,每天都需要用到的,但其实里面的门门道道很多工...
电子元器件-电子元器件损坏的原因解析电子元器件损坏的原因你知道多少?一切电子装置如洗衣机、冰箱、空调、计算机、仪器、仪表、汽车电子等都是形形色色的,不同功能的电子电路组成。根据张飞第三大定律组成电子电路的基本单位是电子元...
什么是场效应管(FET)-场效应管(FET)分类-原理-用途等知识详解场效应管和双极晶体管不同,仅以电子或空穴中的一种载子动作的晶体管。按照结构、原理可以分为:1、接合型场效应管 2、MOS型场效应管(一)场效应管(FE...
场效应管知识详解-细说场效应管类型和其他知识场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管),本文主要讲场效应管分类,各种场效应管的工作特点及根据特性曲线能判断管子的类型。场效应管的特点了解场效应管分类之...
场效应管知识-场效应管主要参数-作用与特点详解场效应管简介场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型:结型场效应管(junction FET—JF...
MOS管源极与漏极是否可以互换使用分析MOS管源极和漏极是否能互换使用?结型场效应管的源极S和漏极在制造工艺上是对称的,可以互换使用。如把3DJ6应用于功效前置级,D、S极互换后,电路工作状态并无变化。MOS管的衬底B与...
MOS管-三极管-IGBT之间的因果关系-区别和联系最全解析MOS管、三极管、IGBT之间的因果关系 区别与联系最全解析大家都知道MOS管、三极管、IGBT的标准定义,但是很少有人详细地、系统地从这句话抽丝剥茧,一层一层...
二极管-晶闸管- IGBT三者之间的区别和联系二极管就是利用单向导通性。晶闸管是两个三极管,也是单向导通性。igbt是一个mosfet加一个三极管。三者都是半导体器件,都利用pn节单向导通。二极管是这三样的基础。是半导体...
基于高速IGBT的100kHz高压-低压DC/DC转换器知识本文分析了一种基于高速IGBT的软开关移相全桥带同步整流的DC/DC转换器。移相全桥拓扑的软开关技术是混合动力汽车和电动汽车高压-低压DC/DC转换器的主流关键...
IGBT单管与MOS管的区别-MOSFET是MOS吗IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结,即NPNP结构,在原理上是MOS推动的P型BJT;多的这个P层因内有载流子,有电导调制作用,可以使IGBT在跟高电压...
IGBT怎么防止静电击穿IGBT在关断时,由于逆变电路中存在电感成分,关断产生瞬间尖峰电压,如果尖峰电压超过IGBT的最高峰值电压,将造成IGBT击穿损坏,过压损坏可分为集电极-栅极过压,栅极-发射极过电压,高du/dt...
怎么分析电动车低速过载工况下的IGBT动态温升电动汽车电机在低转速大电流过载输出时,驱动器IGBT模块结温会迅速攀升并很容易超出安全工作区从而导致失效。如果在系统设计阶段,利用散热回路的瞬态热阻特性,并通过仿真计算精确控...
如何判断IGBT模块的寿命及可靠性IGBT模块的寿命和可靠性方面的话题,对于很多人来说接近于一门玄学了。早期失效、浴盆曲线、宇宙射线、机械疲劳、环境腐蚀……大部分学电气工程专业出身的IGBT应...
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