142023-09 常见问题解答

可控硅与晶闸管的区别介绍

可控硅与晶闸管的区别介绍可控硅可控硅（Silicon Controlled Rectifier） 简称SCR，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、寿命长等优点。在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，...

132023-09 常见问题解答

场效应管并联二极管的作用介绍

场效应管并联二极管的作用介绍MOS管旁边为什么要并联二极管？MOS管旁边并联二极管是防止场效应管反向击穿而设置的。大部分二极管所具备的电流方向性通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极...

132023-09 常见问题解答

场效应管的导通条件详解

场效应管的导通条件详解MOSFET是十分常见的一种电子元器件，通常被应用为一个三端控制器，或者开关管，其开关频率和峰值电压都可以做到很高，而且价格十分低廉，因此被广泛应用于各种电子电路中。常用的MOSFET有两种类型，一...

122023-09 常见问题解答

NPN型的晶体管伏安特性解析

NPN型的晶体管伏安特性解析伏安特性是指横轴为电压、纵轴为电流的一组测试记录。 那么NPN型晶体管的伏安特性增模描述呢? 晶体管有三个引脚，因此需用通过两个伏安特性来展示晶体管的特征，这两个伏安特性分别为输入伏安特性和输...

122023-09 常见问题解答

快恢复二极管和三极管的区别介绍

快恢复二极管和三极管的区别介绍首先可以从外观上做区分：快恢复二极管只有两个脚，三极管有三个脚。01.快恢复二极管快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM...

282023-08 常见问题解答

IGBT在应用中的换流方式介绍

IGBT在应用中的换流方式介绍IGBT的上下桥臂是指IGBT的晶体管的两个极性，即正极和负极。正极被称为上桥臂，负极被称为下桥臂。上桥臂的电流是正向流动的，下桥臂的电流是反向流动的。IGBT的上桥臂用于控制IGBT的开关...

282023-08 常见问题解答

基于TL431对开关电源电路介绍

基于TL431对开关电源电路介绍精密稳压芯片TL431作为一个可以提供精准稳定电压的芯片，在电路中常被用于作为一个电压基准这在开关电源的电压反馈电路里是很常见的，理解好TL431对开关电源电路分析很有帮助这篇文章就和大家...

252023-08 常见问题解答

功率二极管的关断条件介绍

功率二极管的关断条件介绍功率二极管（Power Diode）是一种高电压、高电流、大功率的二极管。与普通二极管相比，功率二极管具有承受更高电压和电流的能力，通常被用于电源电路、电机驱动器、逆变器、交流调制、直流稳压等高功...

252023-08 常见问题解答

功率MOSFET的开通和关断过程原理介绍

功率MOSFET的开通和关断过程原理（1）：开通和关断过程实验电路（2）：MOSFET 的电压和电流波形：（3）：开关过程原理：开通过程[ t0 ~ t4 ]：在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOS...

242023-08 常见问题解答

功率MOS管的正向截止等效电路与稳态特性介绍

功率MOSFET的正向截止等效电路与稳态特性介绍功率MOSFET的正向截止等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中...

242023-08 常见问题解答

功率MOSFET的正反向导通等效电路解析

功率MOSFET的正反向导通等效电路解析功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，...

232023-08 常见问题解答

功率半导体的工作原理介绍

功率半导体的工作原理介绍功率半导体是一类能够控制和调节大电流和高电压的半导体器件。它可以将小信号控制电流或电压转换成大信号输出，广泛应用于电力电子、工业自动化、交通运输、新能源等领域。常见的功率半导体器件包括功率二极管、...

232023-08 常见问题解答

功率二极管和普通二极管区别介绍

功率二极管和普通二极管区别介绍功率二极管是一种半导体器件，它与普通二极管类似，但其能够承受更大的功率和电流，因此被广泛应用于各种功率电子电路中。功率二极管通常用于转换或控制高电压、大电流或高功率的电路，如直流电源、开关电...

222023-08 常见问题解答

MOS管和晶体管的区别分析

MOS管和晶体管的区别分析什么是MOS管?MOS晶体管是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，或金属-绝缘体-半导体。MOS管的源漏是可互换的，它们是在P型背栅中形成的N形区域。在大多数情况下，这两个区域是相同的，甚至两端的...

222023-08 常见问题解答

IGBT管的工作特点与选型

IGBT管的工作特点与选型IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功...

212023-08 常见问题解答

电源滤波器测量好坏介绍

电源滤波器测量好坏介绍电源滤波器的原理是通过电容和电感的组合，将电源线上的电磁干扰过滤掉，从而保护电路元件免受干扰，提高系统的稳定性和可靠性。电源滤波器的好坏可以通过测量其电容和电感的参数来判断，如电容的容量、电感的磁通...

212023-08 常见问题解答

SiC MOSFET的结构和特性介绍

SiC MOSFET的结构和特性介绍SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，...

182023-08 常见问题解答

带阻滤波器工作原理和作用详解

带阻滤波器工作原理和作用详解带阻滤波器工作原理带阻滤波器是由低通和高通滤波器以并联方式而不是级联方式组合而成，该名称本身表明它将停止特定频带。由于它消除了频率，它也被称为带阻滤波器或带拒滤波器或陷波滤波器。带阻滤波器的工...

182023-08 常见问题解答

三端可调稳压器的检测方法介绍

三端可调稳压器的检测方法介绍怎么对三端可调稳压器进行安全检测，常用的方法为电阻测量法和电压测量法两种，在实际检测中一般采用电压测量法。下面以三端稳压器LM317为例介绍下具体的检测方法，检测电路如下图。如图将可调电阻RP...

172023-08 常见问题解答

电源测试中比较重要的项目介绍

电源测试中比较重要的项目介绍主要有交叉负载，浪涌，输入电压，纹波噪音，输出短路，过功率，转换效率，功率因数，响应时间，时序，噪音，传导辐射，漏电流，高低温测试等。交叉负载测试：对电源进行4种常用型负载类型的拉偏测试，以检...