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[行业资讯]SF1006DS参数,10A600V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-24 16:56 ]
SF1006DS贴片二极管引脚图与规格书,SF1006DS中文PDF|壹芯微二极管壹芯微科技专业生产贴片SF1006DS,提供SF1006DS超快恢复二极管规格书参数。SF1006DS超快恢复二极管的作用SF1006DS超快恢复二极管(简称fred)是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管,常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器,使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复二极管是用电设备高频化(20khz以上)和高频设备固态化发展不可或缺的重要器件。反向恢复时间(trr):
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[行业资讯]SF1005DS参数,10A500V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-23 16:35 ]
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http://www.szyxwkj.com/Article/sf1005dscs_1.html3星
[行业资讯]SF1004DS参数,10A400V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-23 16:32 ]
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[行业资讯]SF1003DS参数,10A300V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-23 16:22 ]
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[行业资讯]SF1002DS参数,10A200V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-22 17:13 ]
SF1002DS贴片二极管引脚图与规格书,SF1002DS中文PDF|壹芯微二极管壹芯微科技专业生产贴片SF1002DS,提供SF1002DS超快恢复二极管规格书参数。SF1002DS超快恢复二极管的作用SF1002DS超快恢复二极管(简称fred)是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管,常用来给高频逆变装置的开关器件作续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器,使开关器件的功能得到充分发挥。超快恢复二极管是用电设备高频化(20khz以上)和高频设备固态化发展不可或缺的重要器件。反向恢复时间(trr):
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[行业资讯]SF1001DS参数,10A100V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-22 16:28 ]
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[行业资讯]SF506DS参数,5A600V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-22 16:10 ]
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[行业资讯]SF505DS参数,5A500V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-21 17:02 ]
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[行业资讯]SF504DS参数,5A400V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-21 16:59 ]
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[行业资讯]SF503DS参数,5A300V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-21 16:54 ]
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[行业资讯]SF502DS参数,5A200V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-20 17:56 ]
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[行业资讯]SF501DS参数,5A100V超快恢复TO-252封装贴片二极管资料[ 2023-11-20 17:53 ]
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[行业资讯]AP02N40H-HF参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-12-24 15:21 ]
AP02N40系列来自创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。 它为设计师提供具有极其高效的设备,可用于各种功率应用程序。TO-252封装广泛适用于商业工业表面贴装应用,适用于低电压应用如DC/DC转换器。
http://www.szyxwkj.com/Article/ap02n40hhf_1.html3星
[行业资讯]AP05N50H场效应管参数 MOS管 AP05N50H参数规格书下载[ 2021-12-01 14:35 ]
AP05N50H场效应管参数 MOS管 AP05N50H-HF参数规格书下载AP05N50H参数及代换,AP05N50H封装引脚图,AP05N50H规格书(数据手册)(图(如上):AP05N50H,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)壹芯微供应AP05N50H系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。AP05N50H场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS500V栅极-源极电压VGSS±20V雪崩电流IAR3A栅极-源极电压(TJ=25°C)ID5.0A栅极-源极电
http://www.szyxwkj.com/Article/ap05n50hcx_1.html3星
[行业资讯]IRFR430A场效应管参数,IRFR430A规格书下载,中文资料[ 2021-11-30 11:41 ]
IRFR430A场效应管参数,IRFR430A规格书下载,中文资料IRFR430A参数及代换,IRFR430A封装引脚图,IRFR430A规格书(数据手册)(图(如上):IRFR430A,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)壹芯微供应IRFR430A系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。IRFR430A场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS500V栅极-源极电压VGSS±30V雪崩电流IAR5.0A栅极-源极电压(TJ=25°C)ID5.0A栅极-源极电压(T
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[行业资讯]FDD5N50NZF场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家[ 2021-11-30 10:56 ]
FDD5N50NZF场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家FDD5N50NZF参数及代换,FDD5N50NZF封装引脚图,FDD5N50NZF规格书(数据手册)(图(如上):FDD5N50NZF,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)壹芯微供应FDD5N50NZF系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。FDD5N50NZF场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS500V栅极-源极电压VGSS±25V雪崩电流IAR3.3A栅极-源极电压(TJ=25&de
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[行业资讯]FIR2N60ALG场效应管参数 MOS管 FIR2N60ALG参数规格书下载[ 2021-11-30 10:19 ]
FIR2N60ALG场效应管参数 MOS管 FIR2N60ALG参数规格书下载FIR2N60ALG参数及代换,FIR2N60ALG封装引脚图,FIR2N60ALG规格书(数据手册)(图(如上):FIR2N60ALG,MOS场效应管,TO-252封装引脚图)壹芯微供应FIR2N60ALG系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。FIR2N60ALG场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V雪崩电流IAR2A栅极-源极电压(TJ=25°C
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[行业资讯]SPD02N60S5场效应管参数,JCS2N60规格书下载,中文资料[ 2021-11-29 14:59 ]
SPD02N60S5场效应管参数,JCS2N60规格书下载,中文资料SPD02N60S5参数及代换,SPD02N60S5封装引脚图,SPD02N60S5规格书(数据手册)(图:SPD02N60S5 MOS场效应管 TO-252封装引脚图)壹芯微供应SPD02N60S5系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。SPD02N60S5场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±20V雪崩电流IAR1.8A栅极-源极电压ID1.8A漏极电流-脉冲ID pul
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[行业资讯]P0460AD场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家[ 2021-11-29 14:45 ]
P0460AD场效应管参数_规格书下载(替代国外品牌型号)MOS管生产厂家P0460AD参数及代换,P0460AD封装引脚图,P0460AD规格书(数据手册)(图:P0460AD MOS场效应管 TO-252封装引脚图)壹芯微供应P0460AD系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。P0460AD场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS600V栅极-源极电压VGSS±30V雪崩电流IAS3A栅极-源极电压ID4A漏极电流-脉冲IDM20A单脉冲雪崩能量EAS45mJ重复雪崩能
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[行业资讯]TK4P60DB场效应管参数 MOS管 TK4P60DB参数规格书下载[ 2021-11-29 14:21 ]
TK4P60DB场效应管参数 MOS管 TK4P60DB参数规格书下载TK4P60DB场效应管参数代换,TK4P60DB封装引脚图,TK4P60DB规格书(数据手册)(图:TK4P60DB场效应管 TO-252封装引脚图)壹芯微供应TK4P60DB系列场效应管,可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。TK4P60DB场效应管主要参数如下:参数符号值单位漏极-源极电压VDSS650V栅极-源极电压VGSS±30V单脉冲雪崩电流IAR3.7A栅极-源极电压ID3.7A漏极电流-脉冲IDM-A单脉冲雪崩能量EAS
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