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[常见问题解答]三种PMOS管防倒灌电路设计方案及应用分析[ 2024-12-06 11:43 ]
在电子电路的设计中,防止电流倒灌是一个非常重要的考虑因素。电流倒灌不仅会影响电路的正常工作,还可能导致设备的损坏。尤其是在电源管理系统中,如何有效防止电流倒灌,一直是工程师们面临的技术难题。本文将探讨三种使用PMOS管进行防倒灌的电路设计方案,详细分析它们的工作原理、优缺点以及实际应用。一、基本原理:PMOS管防倒灌PMOS管,作为一种常见的场效应晶体管,在电路设计中具有广泛的应用。由于PMOS管的结构特点,其源极与漏极之间的电流方向与NMOS管相反,因此,PMOS管通常用于电流方向受控的场合。特别是在防倒灌电路设
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[常见问题解答]MOS管栅极电压调控:如何选择合适的电压?[ 2024-10-29 14:55 ]
MOS管的栅极电压调节在实际应用中非常重要,影响电路的导通状态、功耗以及整体稳定性。栅极电压的准确选择可以有效优化电路的工作性能。一、栅极电压和阈值电压之间的关系设置栅极电压(VGS)必须首先与阈值电压(Vth)相关。MOS管处于临界电压,由截止状态变为导通状态。对于NMOS管,当VGS大于Vth时电路开始导通,但对于PMOS管,VGS必须很小,因此要确保VGS高于阈值电压。这是MOS管正常工作的前提,意味着栅极电压的选择首先取决于阈值电压。假设NMOS管的Vth为1V,则栅极电压可以设置为1.2V或1.5V以保证
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[常见问题解答]优化PMOS基反接防护电路的设计与实施策略[ 2024-09-07 12:13 ]
在电子电路设计中,反接保护是一个关键环节,特别是对于那些对电源极性敏感的设备。本文将详细介绍如何优化PMOS基反接防护电路的设计与实施策略,确保高效且经济地保护电路不受错误电源连接的影响。1. PMOS基反接防护电路的工作原理PMOS管作为一种常用的反接保护元件,其工作原理相对直接。在正常连接时,PMOS管的源极接入正电源,漏极连接负载。通过将PMOS的栅极接地,当输入电压正常时,PMOS管关闭,电流通过其体二极管流向负载。当输入电压达到PMOS的门槛电压时,PMOS主通道导通,实现低压降传导。2. 设计考虑因素设
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[常见问题解答]如何利用PMOS管实现高效开关控制:电路实例解析[ 2024-09-07 11:44 ]
在现代电子电路设计中,PMOS管因其高效的开关特性和低功耗的表现,广泛应用于各种开关控制电路。本文将通过实例解析,详细介绍如何利用PMOS管实现高效的开关控制,并探讨其中的关键技术要点。1. PMOS管的基础工作原理PMOS管是一种常见的MOSFET(场效应管),其主要特点是当栅极电压(G)相对于源极电压(S)为负时导通。这意味着在使用PMOS管时,源极通常连接到电源正极,漏极连接到负载,而栅极则通过控制电路调节与源极的电压差。在开关电路中,PMOS管的优势在于其易于控制的导通和关断特性。与NMOS管相比,PMOS
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[常见问题解答]过压保护电路设计介绍[ 2023-09-20 18:27 ]
过压保护电路设计介绍简单的过压保护电路一般加个TVS可以实现,当外部有瞬间高能量冲击时候它能够把这股能量抑制下来,虽然功率高,上千W都可以,但是维持抑制的时间很短很短,万一器件损坏或者长时间工作电压高于正常工作电压的时候,就力不从心了。所以最好的办法是设计一个智能电路了,如下所示:Vin正常输入电压时,稳压管没有反向击穿,R3,R4电流基本为0。PNP三极管的Vbe=0,即PNP三极管不导通。PMOS管Q4的Vgs由电阻R5,R6分压决定,PMOS管导通,即电源正常工作。当Vin输入大于正常输入电压,此时Vin&g
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[常见问题解答]场效应管组成的推挽电路与工作原理介绍[ 2023-08-02 17:04 ]
场效应管组成的推挽电路与工作原理介绍1、P-MOS 管和 N-MOS管组成的推挽电路推挽电路是由两个三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,电路工作时,两只对称的开关管每次只有一个导通,所以导通损耗小、效率高、既提高电路的负载能力,又提高开关速度。芯片的GPIO具有了“推挽输出”和“开漏输出”两种模式,现在来分析下推挽输出原理。推挽电路2、工作原理VOUT为GPIO口的输出,当VIN为高电平时,上边的PMOS管截止,NMOS管导通,对外VOUT输出低电平当VIN
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[常见问题解答]MOS管的开关作用介绍[ 2023-05-17 17:43 ]
MOS管的开关作用介绍一、开关作用1、如下图所示:当PQ27控制脚G为低电平时,PQ27截止,此时PQ26的控制脚G为高电平,PQ26导通。当PQ27控制脚G为高电平时,PQ27导通,此时PQ26的控制脚G为低电平,PQ26截止。以上MOS开关实现的是信号切换(高低电平切换)。2、MOS开关实现电压通断3、MOS管在电路中的一般连接方法NMOS管: D极接输入;S极接输出;PMOS管: S极接输入;D极接输出;如果反过来接会是什么情况呢?看下面的图:由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失
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[常见问题解答]如何判断NMOS管和PMOS管[ 2023-03-04 12:14 ]
MOS管的管脚有三个:源极S(source)、栅极G(Gate)和漏极(Drain),但是实际工程应用中,经常无法区分PMOS管和NMOS管、各管脚的位置以及它们各自导通的条件。MOS管有两种:一个是PMOS管,一个是NMOS管;PMOS管就是positive管,是积极的管,而NMOS管是negative管,是消极的管。积极的管就是顺应潮流,顺势而为;消极的管就是违背趋势,逆流而上。很显然,电流从源极(输入端)到漏极(输出端),那就是顺势而为,因为源极就是源头嘛,因此这种管就是PMOS管;而电流要是从漏极(输入端)
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[常见问题解答]电源防反接电路介绍[ 2023-03-01 17:51 ]
在电源输入端一般都需要做一个防反接电路,常见的电路有两种:一种串联肖特基二极管; 另一种通过PMOS管或NMOS管。(一)使用肖特基二极管当正确插入电源,负载电流沿二极管正向流动,如果接反,二极管将被反向偏置并且阻止反向电流,从而保护负载免受负电压的影响;如图所示,当12V输入快速反转至-20V时,输出电压保持不变,不会立即崩溃或跟随负输入;放置在输出端的大容量电容可防止输出立即下降,并可在输入电源恢复之前为负载供电一小段时间电路优缺点:优点:电路简单;始终阻断从负载流回电源的反向电流(这个与用MOS管是有区别的)
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[常见问题解答]nmos和pmos的认识与区别解析 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-09-29 18:47 ]
nmos管和pmos管的认识与区别解析 - 场效应管 - 壹芯微虽然NMOS可以满足很多场景的使用,但是有一些特殊场景就需要用到PMOS了。什么是nmos?NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路,由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路,由NMOS和PMOS两种管子组
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[行业资讯]AO3400场效应管参数 封装引脚规格书PDF 全国供应商生产厂家[ 2021-08-21 11:24 ]
AO3400是N沟道NMOS场效应管,AO3401则是P沟道PMOS管,两者沟道不同,其他性能基本一致,Vds:-30V;Id:-4A;是其AO34xx代号的意思,代表主要性能;在低压开关时建议使用AO3400,AO3401,Rds(ON)导通内阻会稍小。高压开关时需要用AO3407,及以上的,Vgs不同,MOS导通内阻也不同,请比对规格书选用。
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[常见问题解答]详解MOS管N沟道与P沟道两种类型 - 壹芯微[ 2021-08-16 13:35 ]
详解MOS管N沟道与P沟道两种类型 - 壹芯微了解MOS/CMOS集成电路MOS集成电路特点:制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、组成的逻辑电路比较简单,集成度高、抗干扰能力强,特别适合于大规模集成电路。MOS集成电路包括:NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路,即CMOS电路。PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同,只是电源极性相反而已。数字电路中MOS集成电路所使用的MOS管均为增强型管子,负载常用MOS管作为有源负载,这样不仅节省了硅
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[常见问题解答]两个PMOS管背靠背的用法解析(图) - 壹芯微[ 2021-08-02 11:42 ]
两个PMOS管背靠背的用法解析(图) - 壹芯微2个PMOS 并联电路描述:Q3是三极管,Q1和Q2是PMOS管,左右两边的+12V是输入,VIN是输出,用来给模块供电,PHONE_POWER是控制信号。电路逻辑:PHONE_POWER输出高电平时,Q3导通,Q1和Q2导通,VIN=+12V;PHONE_POWER输出低电平时,Q3截止,Q和Q2截止,VIN=0V; 所以看起来这个电路很简单,问:为什么用两个PMOS,Q1和Q2,用一个PMOS是不是也可以?懂得人一看就知道了,Q1和Q2导通时,左右两边1
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[行业资讯]「12N65」MOS场效应管导通条件和基本开关电路解析 - 壹芯微[ 2021-07-31 09:10 ]
「12N65」MOS场效应管导通条件和基本开关电路解析型号:12N65(12A,650V)封装:TO-220品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询导通条件NMOS管和PMOS管的导通条件不一样。对于NMOS,当Vg-Vs>Vgs(th)时,MOS管导通,即G极和S极的差大于一定值,MOS管会导通,但是也不能大太多,Vgs(th)和其他参数需要看MOS管的SPEC。对于PMOS,和ZMOS管是相反的,当Vs-Vg>vsg(th)时,PMOS管导通,即S极和
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[行业资讯]「IRF3205」场效应MOS管驱动原理解析(图) - 壹芯微[ 2021-07-28 09:20 ]
「IRF3205」场效应MOS管驱动原理解析(图) - 壹芯微型号:IRF3205(110A,55V)封装:TO-220/TO-262/TO-263品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询下图为MOS驱动电路的电路图。驱动电路采用Totem输出结构设计,上拉驱动管为NMOS管N4、晶体管Q1和PMOS管P5。下拉驱动管为NMOS管N5。图中CL为负载电容,Cpar为B点的寄生电容。虚线框内的电路为自举升压电路。驱动电路的设计思想是利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极
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[行业资讯]「AO3415」MOS管作为开关控制时为何用PMOS做上管NMOS做下管-壹芯微[ 2021-07-26 09:10 ]
「AO3415」MOS管作为开关控制时为何用PMOS做上管NMOS做下管-壹芯微了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS 做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。下面先了解MOS管的开通 / 关断原理,请看下图:NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位
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[常见问题解答]绝缘栅场效应管(IGFET) 基本知识图解[ 2021-04-09 10:01 ]
绝缘栅场效应管(IGFET) 的基本知识增强型NMOS管s:Source 源极,d:Drain 漏极,g:Gate 栅极,B:Base 衬底,在P型衬底扩散上2个N 区,P型表面加SiO2绝缘层,在N 区加铝线引出电极。2.增强型PMOS管在N型衬底上扩散上2个P 区,P型表面加SiO2绝缘层,在二个P 区加铝线引出电极。PMOS与NMOS管的工作原理完全相同,只是电流和电压方向不同。3.增强型NMOS管的工作原理正常工作时外加电源电压的配置:(1)VGS=0, VDS=0:漏源间是两个背靠背串联的PN结,所以d-
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[常见问题解答]常见双电源选择供电电路-场效应管应用电路分析(1)[ 2021-04-07 10:18 ]
常见双电源选择供电电路-场效应管应用电路分析(1)先上今天的电路,一个简单的双电源供电系统。可以理解为,一个为电池供电,一个为充电器供电。需要对供电进行选择, 情景为当充电器存在的时候,系统供电走充电器;当充电器不在的时候,系统供电走电池。PMOS管 为电源开关电压选择V8V存在,并且V8V的电压高于VBAT Vgs>-0.4V ,则V8V会提供全部电压,PMOS关断,VBAT无法提供电压给VSIN;V8V不在,电压低,由于Vgs<-1.5V,Q8导通,VBAT供电给VSIN。接地R120作用:保证初始
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[常见问题解答]贴片三极管与场效应管MOS管的识别[ 2021-03-16 13:33 ]
贴片三极管与场效应管MOS管的识别数码电子产品中的三极管与场效应管一般也为黑色,大多数为三只引脚,少数为四只引脚(三极管中有两个脚相通,一般为发射极E或源极S)。也有双三极管封装、双MOS管封装形式。需要说明的是,晶体三极管的外形和作用与场效应管极为相似,在电路板上很难区分,只有借助于原理图和印制板图识别,判断时应注意区分,以免误判。三极管有NPN、PNP两种类型,场效应管有NMOS管、PMOS管两种类型,其栅极G、源极S、漏极D分别对应于三极管的基极B、发射极E、集电极C。但与三极管相比,场效应管具有很高的输入电
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[常见问题解答]贴片三极管以及场效应管(MOS)的识别[ 2021-03-02 11:04 ]
贴片三极管以及场效应管(MOS)的识别数码电子产品中的三极管与场效应管一般也为黑色,大多数为三只引脚,少数为四只引脚(三极管中有两个脚相通,一般为发射极E或源极S)。也有双三极管封装、双MOS管封装形式。需要说明的是,晶体三极管的外形和作用与场效应管极为相似,在电路板上很难区分,只有借助于原理图和印制板图识别,判断时应注意区分,以免误判。三极管有NPN、PNP两种类型,场效应管有NMOS管、PMOS管两种类型,其栅极G、源极S、漏极D分别对应于三极管的基极B、发射极E、集电极C。但与三极管相比,场效应管具有很高的输
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