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[常见问题解答]MOS管选型指南：如何匹配电路需求与性能参数[ 2025-02-26 10:42 ]

在电子电路设计中，MOS管（场效应晶体管）广泛应用于电源管理、功率转换和信号控制等领域。合理选型不仅能提升电路性能，还可增强系统的稳定性和效率。然而，MOS管参数众多，不同应用场景对其电气特性、散热能力和开关速度等方面有不同要求，因此在选型时需综合考虑各种因素，以确保器件与电路需求匹配。1. 选择合适的沟道类型MOS管根据沟道类型可分为NMOS和PMOS两类，它们在应用上存在明显的区别：- NMOS：当栅极电压高于源极电压（Vgs > Vth）时导通，适用于低压侧开关和高效功率转换电路，具有较低的导通电阻和较

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[常见问题解答]MOS管参数场效应管参数规格书怎么看[ 2024-03-11 18:03 ]

MOS管参数场效应管参数规格书怎么看描述：MOSFET的最大允许电压。参数：额定电压 - VR （Voltage Rating）描述：MOSFET在正常工作条件下能够承受的最大电流。参数：额定电流 - IR （Current Rating）描述：MOSFET在导通状态下，源极和漏极之间的电阻值。导通电阻的大小直接影响MOSFET的功耗和发热。参数：导通电阻 - RON （On-Resistance）描述：MOSFET的开关转换时间，包括开启时间和关闭时间。开关速度对于高频应用至关重要。参数：开关速度 - TON，

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[常见问题解答]MOS管参数详解[ 2022-12-26 16:03 ]

我们打开一个 MOS 管的 SPEC，会有很多电气参数，今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。热阻，英文 Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W 或者是 K/W。半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。结到空气环境的热阻用 ThetaJA 表示，ThetaJA = (Tj-Ta)/P其中Tj为芯片结温，Ta为芯片环境温度，如下图所示。还有一些其他的热阻参数如下：ThetaJC=(Tj-Tc)/P，结到

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[行业资讯]4N65G-TN3-T场效应MOS管参数报价原厂直销免费样品 - 壹芯微[ 2021-09-23 11:43 ]

4N65G-TN3-T场效应MOS管参数报价原厂直销免费样品 - 壹芯微型号：4N65G-TN3-T 极性：N沟道；电压：650V 电流：4A；封装：TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销4N65G-TN3-T参数中文资料,4N65G-TN3-T封装管脚引脚图,4N65G-TN3-T规格书:查看下载4N65G-TN3-T的概述：4N65-E是一款高压功率MOSFET，其设计具有更好的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。这种功率MOSFET通常用于高速开关应用，包括

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[行业资讯]CEU6042 TO252场效应MOS管参数规格书选型替换 - 壹芯微[ 2021-09-15 11:48 ]

CEU6042 TO252场效应MOS管参数规格书选型替换 - 壹芯微CEU6042场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：90A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号CEU6042特性60V，90A，Ros(on)=5m2@Ves=10V。用于极低Ros(oN)的超高密度电池设计高功率和电流处理能力。无铅电镀；符合RoHS。TO-251和TO-252封装。CEU6042绝对最大额定参数漏源电压 VDS

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[行业资讯]ATP404 TO252场效应MOS管参数规格书选型替换 - 壹芯微[ 2021-09-14 09:50 ]

ATP404 TO252场效应MOS管参数规格书选型替换 - 壹芯微ATP404场效应管主要参数极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：95A；封装(Pageke)：TO-252；大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号漏源电压 VDSS 60 V栅源电压 VGSS ±20 V漏极电流 (DC) ID 95 A漏极电流（脉冲）IDP PW≤10μs，占空比≤1% 380 A允许功耗 PD Tc=25°C 70 W通道温度 Tc

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[常见问题解答]5N60场效应MOS管参数5A/600V,DC-DC电源转换器适用[ 2021-08-24 14:39 ]

5N60是一款N沟道增强型高压功率MOS管，具有600V高压，可适用在DC-DC电源转换器上，目前DC-DC转换器广泛应用于手机、MP3、数码相机、便携式媒体播放器等产品中。

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[行业资讯]AO3402,SOT23场效应MOS管参数封装报价中文资料DF 现货厂家[ 2021-08-23 12:07 ]

型号：AO3402；极性：N沟道；ID/VDSS：4A/30V；封装：SOT-23AO3402使用先进的沟槽技术提供出色的Rds(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该器件适合用作负载开关或PWM应用。

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[常见问题解答]功率MOS管参数-Vdss的温度特性详情解析[ 2020-12-09 16:54 ]

功率MOS管参数-Vdss的温度特性详情解析功率MOS管参数-Vdss温度特性分析由图可知MOSFET-Vdss耐压随温度升高而增加。为什么MSOFET的VDS耐压随温度升高而增加，即呈现正温度系数呢？这是半导体硅材料的特性所决定的！MOS管是单子导电机理！载流子只有电子，温度升高，沟道电阻增加，电子迁移减少，电流变小！故耐压会增加！MOS管是单子导电机理！载流子只有电子，沟道夹断，电子无法通过沟道导通，单外延层中低参杂PN结中的电子迁移很小，温度升高，这种飘移电流变小！故其反向截止的损耗减小，雪崩能量增加，耐压

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[常见问题解答]如何理解场效应管参数-怎么解读MOS管参数[ 2020-07-02 17:39 ]

如何理解场效应管参数-怎么解读MOS管参数答：场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已

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[常见问题解答]mos管参数大全-mos管功率各种参数意思[ 2019-09-10 16:15 ]

mos管功率各种参数大全mos管基本参数向传输电容 Crss = CGD .Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD .Ciss:输入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻.Td(off) :关断延迟时刻.输入电压下降到 90%开端到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时刻.Tr :上升时刻.输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时刻.Td(on):导通延迟时刻.从有输入电压上升到 10%

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[常见问题解答]常用n沟道mos管参数选型号大全[ 2019-06-17 11:47 ]

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,常用n沟道mos管参数选型号大全,请看下方N沟道MOS管型号型号8205ANMOS5A电流20V电压0.025内阻封装TSSOP-8型号6968ENMOS6.5A20V电压0.024内阻封装TSSOP-8型号8810ANMOS7A电流20V电压0.024内阻封装TSS

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[常见问题解答]P沟道MOS管参数-型号与工作原理[ 2019-06-10 16:38 ]

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,P沟道MOS管参数-型号与工作原理,请看下方① 开启电压VGS(th) (或VT)开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通② 夹断电压VGS(off) (或VP)夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电

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[常见问题解答]P沟道MOS管参数大全-P沟道MOS管知识与导通条件[ 2019-06-06 14:13 ]

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,P沟道MOS管参数大全-P沟道MOS管知识与导通条件,请看下方金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型

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[常见问题解答]低开启电压MOS管型号-低压内阻MOS管参数资料[ 2019-06-05 10:47 ]

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,低开启电压MOS管型号-低压内阻MOS管参数资料,请看下方对于一个电子产品，总功耗为该产品正常工作时的电压与电流的乘积，这就是低功耗设计的需要注意事项之一。为了降低产品的功耗，在电子产品开发时尽量采用低开启电压MOS管的产品。比如一个产品，曾经用5v单片机正常工作，后

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[常见问题解答]MOS管参数选型基础要点[ 2019-04-22 19:14 ]

壹芯微作为国内专业生产MOS管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分析一些知识或者客户的一些问题,来出来分享,MOS管参数选型基础要点,请看下方MOS管有两大类型：N 沟道和 P 沟道。在功率系统中，MOS管可被看成电气开关。当在 N 沟道MOS管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻 RDS(ON)。必

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