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[根栏目]4N65场效应管参数|4N65(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微[ 2022-02-21 14:52 ]
4N65场效应管参数|4N65(TO252,TO220)规格书资料|壹芯微 产品类型 场效应管 产品型号 4N65 极性 NPN 漏源电压 650V 漏极电流 4.0A 封装 TO-220,TO-220F,TO-220F1,TO-220F2,TO-220F3,TO-251,TO-251S,TO-251S2,TO-251S4,TO-252,TO-252D,TO-262,TO-263,DFN5060-8
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[行业资讯]CJU04N65场效应管参数 CJU04N65参数资料规格书〔壹芯微〕[ 2021-12-20 14:45 ]
CJU04N65场效应管参数 CJU04N65参数资料规格书〔壹芯微〕CJU04N65参数资料,选型替代,CJU04N65封装引脚图,数据手册,MOS管生产厂家漏源电压(VDSS):650V栅源电压(VGSS):±30V漏极电流-连续(TJ=25°C)(ID):4.0A漏极电流-脉冲(IDM):16A单脉冲雪崩能量(EAS):280mJ功耗(TC=25°C)(PD):1.25W工作与贮存温度范围(TJ,TSTG):-55~+150°С焊接的最高引线温度(TL):260°
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[行业资讯]4N65场效应管参数资料,4N65参数手册PDF下载[ 2021-10-13 14:23 ]
4N65场效应管参数资料,4N65参数手册PDF下载4N65系列场效应管TO-220封装引脚图:壹芯微供应4N65系列的场效应管型号如下(尾缀不同,参数一致,主要区分材质、封装与包装方式)4N65L-TA3-T 4N65G-TA3-T 封装形式TO-2204N65L-TF1-T 4N65G-TF1-T 封装形式TO-220F14N65L-TF2-T 4N65G-TF2-T 封装形式TO-220F24N65L-TF3-T 4N65G-TF3-T 封装形式TO-220F4N65L-TF3T-T 4N65G-TF3T-T
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[行业资讯]4N65G-TN3-T场效应MOS管参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微[ 2021-09-23 11:43 ]
4N65G-TN3-T场效应MOS管参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微型号:4N65G-TN3-T 极性:N沟道;电压:650V 电流:4A;封装:TO-252 促销价格/免费样品/选型替代/原厂直销4N65G-TN3-T参数中文资料,4N65G-TN3-T封装管脚引脚图,4N65G-TN3-T规格书:查看下载4N65G-TN3-T的概述:4N65-E是一款高压功率MOSFET,其设计具有更好的特性,例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 这种功率MOSFET通常用于高速开关应用,包括
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[行业资讯]4N65ZG-TN3-T场效应管,4N65ZG-TN3-T参数中文资料 - 壹芯微[ 2021-09-22 15:48 ]
4N65ZG-TN3-T场效应管,4N65ZG-TN3-T参数中文资料 - 壹芯微4N65ZG-TN3-T场效应管(4A,650V N沟道功率场效应晶体管)封装形式为:TO2524N65ZG-TN3-T场效应管参数中文资料,4N65ZG-TN3-T场效应管封装引脚图,4N65ZG-TN3-T规格书4N65ZG-TN3-T的概述:4N65Z是一款高压功率MOSFET,其设计具有更好的特性,例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高坚固性雪崩特性。 该功率MOSFET通常用于高速开关应用,包括电源、PWM电机控制、高
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[行业资讯]4N65ZG-TN3-R TO252 N沟道 高压650V 2A - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-09-17 12:06 ]
4N65ZG-TN3-R TO252 N沟道 高压650V 4A - 场效应MOS管 - 壹芯微    型号        极性        电压        电流        封装    4N65ZG-TN3-RN沟道650V4ATO-2524N65ZG-TN3
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[行业资讯]CJU01N65B场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微[ 2021-09-17 11:48 ]
CJU01N65B场效应(MOS管)参数 报价 原厂直销 免费样品 - 壹芯微    型号        极性        电压        电流        封装    4N65L-TN3-TN沟道650V4ATO-252CJU01N65B的概述:这种先进的高压
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[行业资讯]4N65L-TN3-T场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微[ 2021-09-17 10:17 ]
4N65L-TN3-T场效应管参数规格书 MOS管厂家直营 - 壹芯微    型号        极性        电压        电流        封装    4N65L-TN3-TN沟道650V4AT...
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[行业资讯]「2N60,4N60,4N65」MOS管和IGBT管的区别-壹芯微[ 2021-07-26 09:30 ]
「2N60,4N60,4N65」MOS管和IGBT管的区别-壹芯微型号:2N60(2A,600V) 4N60(4A,600V) 4N65(4A,650V)品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET|封装:TO-252/TO-220等|多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询MOS管和IGBT管都可以作为开关元件使用,它们在外形、特性参数上也比较相似,那它们到底有什么区别呢?什么是MOS管?MOS管是MOSFET管的简称,是金属-氧化物半导体场效应晶体管,可以简化称为「场效应管」,MOS管主要分两种类型:结型场
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[行业资讯]4N65 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微[ 2021-07-10 09:23 ]
4N65 TO-252/TO-220参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微4N65(N沟道场效应MOS管)品牌:壹芯微|类型:场效应管|封装:TO-252/TO-220|参数达标 质量稳定 免费样品 欢迎咨询4N65场效应管主要参数参数\型号4N65极性NID(A)4VDSS(V)650RDS(ON):Max(Ω)2.6RDS(ON):VGS(Ω)10VGS(th):(V)2~4Gfs(min):(S)3.6Gfs(min):Vgs(V)40Gfs(min):Io(A)2.0封装TO-252/TO-2204
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[常见问题解答]〔壹芯〕生产4N65场效应管4A-650V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-05 12:17 ]
〔壹芯〕生产4N65场效应管4A-650V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号:4N65       极性:NIDA(A):4       VDSS(V):650RDS(on) MAX(Ω):2.6 VGS(V):10 VGS(th) (V):2~4Gfs(min) (S):3.6 Vgs(V):40 Io(A):2.0封装:TO-252 TO-220结型场效应管结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种类型如图5-17(a)所示为N沟道JFET的结构示意图,图中,在同一块N型半导体上制作两个高掺
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