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[常见问题解答]如何理解变容二极管的等效电路分析[ 2025-02-20 10:55 ]

变容二极管（Varactor Diode）作为一种重要的电子元件，广泛应用于射频电路中，尤其在调频（FM）调制、频率合成、压控振荡器（VCO）等领域具有不可替代的作用。它通过反向偏置电压的变化来调节电容，因此成为电路设计中调整频率和调谐的重要工具。理解变容二极管的等效电路，不仅能够帮助我们更好地掌握其工作原理，还能在实际设计中有效提高电路性能。一、变容二极管的基本工作原理在理解变容二极管的等效电路之前，首先要清楚其工作原理。变容二极管是一种具有可调电容特性的二极管，其电容值会随着反向偏置电压的变化而发生变化。该二极

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[常见问题解答]探究部分阴影对光伏电池输出效率的影响[ 2024-07-16 11:59 ]

一、引言在现代绿色能源解决方案中，太阳能光伏电池展现出其显著的环境和经济价值。它们通过太阳光转换为电能，但在实际应用中，其发电能力常受到如阴影、恶劣天气以及鸟类排泄物等因素的干扰。光伏模块在不均匀照明的阴影下，其电力输出特性便会受到影响。因此，本研究将聚焦于数学模型、仿真实验及实证验证，以深入探讨光伏电池在阴影条件下的电力输出特性，对于研究阴影下的最大功率点追踪控制具有重要价值。二、实验论证利用光电伏特效应，每个光伏单元可视为一个二极管、一个恒流源以及电阻的组合。通过Mu1tisim软件进行模拟，其等效电路如图所示

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[常见问题解答]电路分享，变容二极管等效电路介绍[ 2024-03-11 18:24 ]

电路分享，变容二极管等效电路介绍变容二极管或变容二极管主要用于射频或射频电路设计，以提供电压控制的可变电容。这些电子元件可以以多种方式使用，其中电容水平需要由电压控制，没有它们，我们在收音机、手机和许多其他设备中享有的许多功能将是不可能的。变容二极管不仅可以用于电压的模拟控制，例如在锁相环中，还可以与微处理器结合使用，在微处理器中，可以数字方式产生电压，然后转换为模拟电压，以通过使用数模转换器ADC来控制二极管。事实上，变容二极管的应用几乎是无限的，它们被用于各种不同的电路用途，用于一般电子电路设计和射频设计。虽然

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[常见问题解答]功率MOS管的正向截止等效电路与稳态特性介绍[ 2023-08-24 18:26 ]

功率MOSFET的正向截止等效电路与稳态特性介绍功率MOSFET的正向截止等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、环境温度等有关，大小可从制造商的手册中获得。功率MOSFET的稳态特性总结（1）：功率MOSFET 稳态时的电流/电压曲线（2）：说明：功率 MOSFET 正向饱和导通时的稳态工作点：当门极不加控制时，其反向导通的稳态工作点同二极管。（3）：稳态特性总结：门极与源极间的电压Vgs 控制器件的导通状态；当VgsVth时，器件处于导通状态；

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[常见问题解答]功率MOSFET的正反向导通等效电路解析[ 2023-08-24 18:06 ]

功率MOSFET的正反向导通等效电路解析功率MOSFET的正向导通等效电路（1）：等效电路（2）：说明：功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效，该电阻与温度有关，温度升高，该电阻变大；它还与门极驱动电压的大小有关，驱动电压升高，该电阻变小。详细的关系曲线可从手册中获得。功率MOSFET的反向导通等效电路（1）（1）：等效电路（门极不加控制）（2）：说明：即内部二极管的等效电路，可用一电压降等效，此二极管为MOSFET 的体二极管，多数情况下，因其特性很差，要避免使用。功率

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[常见问题解答]基于晶闸管设计的等效电路介绍[ 2023-07-31 16:50 ]

基于晶闸管设计的等效电路介绍在国内它被称为可控硅，但是海外华人地区则普遍翻译为晶闸管，它的英文名叫 Thyristor，是一种早期出现的用于控制电流单向导通的器件。与一般的二极管相比，它可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用，并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点，广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。其电路符号一般表示如下要想理解它的工作原理，可以看看它的等效电路：也就是两个三极管彼此相连，其运行方式可以跟EE专业里提到的通过三极管做的信号放大电路

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[常见问题解答]三极管电路分享：单结晶体管的等效电路[ 2023-07-27 17:37 ]

三极管电路分享：单结晶体管的等效电路单结晶体管是一种特殊的电子元件，可以用来实现弛张振荡，图1给出的是一个典型电路。电路利用了单结晶体管的负阻特性，其工作原理如下：电容C在接通电源时经R1充电，其电压逐渐上升，达到单结晶体管的导通电压时，eb1 导通，并进入负阻状态，C经eb1 和R3 迅速放电，当C的电压降到一定值时，eb1之间电阻迅速增大，单结管恢复阻断状态，此后C又开始充电并重复上述过程，形成周期振荡。图1 单结晶体管弛张振荡电路但是单结晶体管的价格较高，我们可以利用两个三极管(一个npn型和一个pnp型)搭

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[常见问题解答]半导体器件的放大电路设计方案介绍[ 2023-06-19 16:51 ]

半导体器件的放大电路设计方案介绍半导体器件的非线性特性使放大电路设计方案等效电路法半导体器件的非线性特性使放大电路的分析复杂化，利用线性元件建立模型，来描述非线性器件的特性，即为等效电路法。2.直流模型：适用于Q点的分析如下图的放大电路，可求解出的静态工作点如下所示：在求解静态工作点时，做了如下的近似：1）输入回路等效为恒压源，即UBEQ近似等于一个常数，如取0.7V。2）输出回路等效为电流控制的电流源，即有ICQ=βIBQ。此时，即已建立了等效模型如下图，图中等效电路的二极管为理想二极管，二极管限定了电流的方向。

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[常见问题解答]Gate-Source间电压的动作介绍[ 2023-05-20 14:25 ]

Gate-Source间电压的动作介绍低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作当SiC MOSFET的LS导通时，首先ID会变化（下述波形示意图T1）。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动，受下述等效电路图中所示的事件(I)影响，在图中所示的极性产生公式（1）的电动势。公式（1）与上一篇文章中使用的公式相同。该电动势引起的电流将源极侧作为正极对CGS进行充电，因此在LS会将VGS向下推，在HS会将VGS向负极侧拉，使之产生负浪涌（波形示意图VGS的T1）。当ID的变化结束时，LS的VDS的电

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[常见问题解答]栅极–源极间电压的动作介绍[ 2023-05-20 14:14 ]

栅极–源极间电压的动作介绍低边开关关断时的栅极–源极间电压的动作下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。与导通时的做法一样，为各事件进行了(IV)、(V)、(VI)编号。与导通时相比，只是VDS和ID变化的顺序发生了改变，其他基本动作是一样的。与导通时的事件之间的对应关系如下：关断导通事件(IV) → 事件(II)事件(V) → 事件(III)事件(VI) → 事件(I)dVDS/dt带来的LS的VGS上升和HS的VGS负浪涌（

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[常见问题解答]场效应管的结构、电学符号和电学特性介绍[ 2023-04-18 15:25 ]

场效应管的结构、电学符号和电学特性介绍现在所有电子产品中的芯片、放大器中的基本结构就是MOSFET，学好MOSFET是理解这些芯片、放大电路的前提。学习MOSFET之前需要具备哪些知识?基本电路的电路知识包括：电阻、电容、电感的知识、KCL、KVL、戴维南等效电路、诺顿等效电路等。全文内容：MOSFET的结构MOSFET的电学符号和电学特性1、MOSFET的结构MOSFET的名字就反应了本文要讲的内容：M-Metal-导体，O-Oxide-氧化物(绝缘体)，S-Semiconductor-半导体，F-Field，E

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[常见问题解答]等效电路图的几种画法介绍[ 2023-03-14 16:12 ]

等效电路等效电路又称“等值电路”。在同样给定条件下，可代替另一电路且对外性能不变的电路。电机、变压器等电气设备的电磁过程可用其相应的等效电路来分析研究。等效电路是将一个复杂的电路，通过电阻等效、电容等效，电源等效等方法，化简成具有与原电路功能相同的简单电路。这个简单的电路，称作原复杂电路的等效电路。等效电路图的画法步骤1、认真审题，在草稿纸上画出原图，并把开关的状态、滑动变阻器的滑片所处的位置依题意画下；2、根据电流路径的优先走法，把没有电流经过的元件用橡皮擦擦掉，同时将断开的开关及与其串

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[常见问题解答]IGBT中的闩锁效应介绍[ 2023-02-01 18:32 ]

闩锁（Lanch-up）效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率，闩锁失效，今天我们就来聊一聊什么是闩锁效应~一般我们认为IGBT的理想等效电路如下图所示：上图直观地显示了IGBT的组成，是对PNP双极型晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。故在G-E之间外加正向电压使MOS管导通时，PNP晶体管的基极-集电极之间就连上了低电阻，从而使PNP晶体管

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[常见问题解答]继电器驱动电路中的二极管保护电路故障分析和处理[ 2022-11-16 15:06 ]

继电器内部具有线圈的结构，所以它在断电时会产生电压很大的反向电动势，会击穿继电器的驱动三极管，为此要在继电器驱动电路中设置二极管保护电路，以保护继电器驱动管。如图9-53所示是继电器驱动电路中的二极管保护电路，电路中的J1是继电器，VD1是驱动管VT1的保护二极管，R1和C1构成继电器内部开关触点的消火花电路。 1.电路工作原理分析继电器内部有一组线圈，如图9-54所示是等效电路，在继电器断电前，流过继电器线圈L1的电流方向为从上而下

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[常见问题解答]单结晶体管的原理和特性介绍[ 2022-01-06 10:58 ]

单结晶体管的原理和特性介绍单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管，是一种常用的半导体器件，它虽有三个管脚，很像半导体三极管，但它只有一个pN结，即一个发射极和两个基极，所以又称它为双基极二极管;它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2，在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。下面来看看其的原理和特性吧：1.结构单结晶体管的内部结构、符号表示、等效电路以及引脚排列，如图1(a)、(b)、(c)、(d)所示。引脚b1、b2分别为第一基极和第二基极(双基极)，e为发射极。e极

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[行业资讯]「TIP31C,TIP32C」晶体管之负载开关等效电路图 - 壹芯微[ 2021-07-31 09:20 ]

「TIP31C,TIP32C」晶体管之负载开关等效电路图 - 壹芯微型号：TIP31C(3000mA,100V) TIP32C(3000mA,100V)封装：TO-220/TO-252品牌：壹芯微|类型：晶体管TRANSISTORS多种封装尺寸不同参数一致免费样品欢迎咨询关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。浪涌

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[常见问题解答]〔壹芯〕生产IRF1404场效应管180A-40V,参数达标,质量稳定[ 2021-06-10 10:38 ]

〔壹芯〕生产IRF14040场效应管180A-40V,参数达标,质量稳定场效应管(MOSFETS)型号：IRF1404　　　　　　　极性：NIDA(A)：180　　　　　　　VDSS(V)：40RDS(on)　MAX(Ω)：0.0037　VGS(V)：10 VGS(th)　(V)：2~4Gfs(min)　(S)：106　Vgs(V)：25　Io(A)：60封装：TO-220知识科普电力场效应晶体管极间电容与漏-源极电压的关系C=f(uDS)电力MOSFET的极间电容对开关过程有直接影响，其等效电路如图1.

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[常见问题解答]MOS管开关电路图详解(四)[ 2021-03-27 09:59 ]

MOS管开关电路图详解(四)正激式驱动电路电路原理如图9（a）所示，N3为去磁绕组，S2为所驱动的功率管。R2为防止功率管栅极、源极端电压振荡的一个阻尼电阻。因不要求漏感较小，且从速度方面考虑，一般R2较小，故在分析中忽略不计。其等效电路图如图9（b）所示脉冲不要求的副边并联一电阻R1，它做为正激变换器的假负载，用于消除关断期间输出电压发生振荡而误导通。同时它还可以作为功率MOSFET关断时的能量泄放回路。该驱动电路的导通速度主要与被驱动的S2栅极、源极等效输入电容的大小、S1的驱动信号的速度以及S1所能提供的电流

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[常见问题解答]半导体三极管的知识简介(5)[ 2021-03-23 09:23 ]

半导体三极管的知识简介(5)三极管知识简介（5）光敏三极管在原理上类似于晶体管，只是它的集电结为光敏二极管结构。它的等效电路见图T313。由于基极电流可由光敏二极管提供，故一般没有基极外引线(有基极外引线的产品便于调整静态工作点)。如在光敏三极管集电极c和发射极e之间加电压，使集电结反偏，则在无光照时，c、e 间只有漏电流ICEO，称为暗电流，大小约为0.3 μA。有光照时将产生光电流IB，同时IB被“放大”形成集电极电流IC，大小在几百微安到几毫安之间。光敏三极管的输出特性和晶体管类似，只

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[常见问题解答]三极管放大电路动态知识[ 2021-03-05 14:23 ]

三极管放大电路动态知识把图所示的电路中的晶体管用共h参数等效模型取代便得到共集放大电路的交流等效电路，如下图所示。根据电压放大倍数定义，可得当，，，故称共集放大电路为射极跟随器。输入与输出电压同相，且Uo<Ui，无电压放大能力，但有电流放大。因为输出电流为Ie，输入电流为Ib，放大了倍。输入电阻可见，发射极电阻Re等效到基极回路时，将增大倍，因此共集放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻大得多。输出电阻为了计算输出电阻Ro，令输入信号为零，在输出端

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