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[常见问题解答]NMOS与PMOS在电源开关设计中的协同与差异分析[ 2025-03-22 11:44 ]
在现代电子设备的电源控制系统中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)因其高效的开关能力和良好的电流控制特性,被广泛用于实现电源通断控制。其中,NMOS和PMOS作为两种极性不同的MOSFET器件,在实际电路中各自扮演着关键角色。理解它们在电源开关设计中的差异与协同关系,是实现稳定、高效电源控制系统的基础。一、NMOS与PMOS的基本工作特性NMOS属于n型增强型MOS管,其导通条件是在栅极电压高于源极电压一定阈值时,电子通道被激活,器件导通。由于电子的迁移率高于空穴,NMOS在开关速度和导通电阻方面表现更为优异
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[常见问题解答]MOS管判别与导通条件详解:关键参数与实测分析[ 2025-03-07 11:07 ]
MOS管在电子电路中起着至关重要的作用,正确判别其类型及理解导通条件对于电路设计至关重要。一、MOS管的三极判别方法MOS管主要由三个极组成:栅极(G)、源极(S)和漏极(D)。在判别MOS管的三极时,可以采用以下方法:1. 栅极(G)的识别栅极通常是MOS管控制端,直接连接到驱动信号。符号上来看,它是唯一单独接出的电极,与其他两个极没有直接连通。2. 源极(S)的判断无论是N沟道还是P沟道MOS管,源极与衬底之间通常存在一个寄生二极管。可以通过万用表二极管挡测量,找到与衬底形成PN结的电极,即可判定为源极。此外,
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[常见问题解答]MOS管导通过程详解:如何实现高效开关控制[ 2025-03-07 10:50 ]
MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)因其高效的开关性能,广泛应用于电源管理、电机控制、射频放大等领域。掌握MOS管的导通过程,对优化电路设计、提升功率效率至关重要。一、MOS管的基本导通条件MOS管的导通受栅极-源极电压(Vgs)控制,不同类型的MOS管具有不同的开启特性:- 增强型MOS管(常闭型):需要外部施加Vgs达到阈值电压(Vgs(th))以上,才能形成导电沟道。- 耗尽型MOS管(常开型):默认处于导通状态,施加适当的Vgs可以使其截止。对于N沟道增强型MOS管,Vgs必须为正值(大于Vgs(th)
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[常见问题解答]NMOS与PMOS的电流方向及工作条件解析[ 2025-02-25 12:03 ]
在电子电路设计中,MOSFET因具备高速开关能力和低功耗特性,被广泛应用于各类电路。NMOS(N型MOS管)与PMOS(P型MOS管)是最常见的两种类型,它们的工作原理不同,控制方式和电流流向各异,因此理解其导通条件对电路设计至关重要。一、NMOS与PMOS的基本结构NMOS与PMOS的结构类似,都由三大部分组成:栅极(Gate)、源极(Source)和漏极(Drain)。两者的主要区别在于半导体材料的掺杂类型不同,导致其导通条件和电流流动方向相反。- NMOS 采用的是N型半导体,在P型衬底上形成。它的沟道由电子
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[常见问题解答]MOSFET导通行为及电路设计中的关键参数[ 2025-02-25 11:40 ]
在现代电子电路设计中,MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高效、低功耗和高速开关特性,被广泛应用于模拟和数字电路、功率转换、信号放大等领域。掌握MOSFET的导通行为及相关关键参数,对于优化电路设计、提高性能至关重要。一、MOSFET的导通行为MOSFET的导通取决于栅极-源极电压(Vgs)相对于阈值电压(Vgs(th))的大小,不同类型的MOSFET,其导通条件有所不同。1. NMOS的导通机制NMOS晶体管导通的关键在于栅极电压相对于源极电压的提升。当Vgs超过阈值电压(Vgs(th))时,P型
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[常见问题解答]如何判断晶闸管的导通条件与关断条件?[ 2025-02-17 12:18 ]
晶闸管(Thyristor)是一种关键的半导体开关元件,广泛应用于电力电子系统中,如整流、调速和保护电路。其工作特性依赖于导通和关断过程,了解这些过程的条件是保证晶闸管正常工作、提高系统可靠性的基础。对于电力控制和自动化系统的工程师来说,掌握晶闸管的导通与关断条件至关重要。一、晶闸管的导通条件晶闸管的导通过程实际上是从关断状态过渡到导通状态。为了实现这一过程,必须满足以下几个基本条件:1. 阳极与阴极之间的电压条件在晶闸管的工作过程中,阳极(Anode)与阴极(Cathode)之间的电压必须满足一定的要求。正常情况
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[常见问题解答]P沟道场效应管的导通机制解析[ 2024-09-27 14:45 ]
P-FET是电子电路中重要的半导体器件。其传导机制直接影响电路的性能和效率。本文对 P-FET 的结构、导通条件和工作原理进行了全面分析。1. P-FET的基本结构P-FET 的基本结构由三个主要端子组成:栅极 (G)、源极 (S) 和漏极 (D)。核心是N型掺杂沟道。由于栅极穿过与沟道隔离的绝缘材料(例如二氧化硅),因此可以调节沟道内电荷载流子的浓度,从而影响开关电源和信号放大等电路中的导电特性。2. 导通所需的基本条件在 P-FET 必须满足以下重要电压条件才能正常导通:- 栅极电压 (Vgs):栅极电压必须为
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[常见问题解答]如何理解双向可控硅的作用?深入了解其导通条件[ 2024-08-03 12:17 ]
双向可控硅(TRIAC)在现代电子技术中占据核心地位,尤其在控制交流电路的领域中展现出其不可替代的作用。本文旨在深入探讨双向可控硅的主要功能及其精确的启动条件。一、双向可控硅的功能解析双向可控硅能够在交流电路中实施有效的双向控制,这使得其在多种电子设备中发挥关键作用,如调节家用电器的光亮度、温度或电机速度。其快速响应和高耐压的特性,使其在现代电子调控系统中被广泛采用。二、关键导通条件双向可控硅的启动依赖于两个基本条件:正向电压和触发信号的同时存在。必须在阳极与阴极之间建立适当的正向电压,并通过控制极施加适当的触发电
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[常见问题解答]场效应管的导通条件详解[ 2023-09-13 18:02 ]
场效应管的导通条件详解MOSFET是十分常见的一种电子元器件,通常被应用为一个三端控制器,或者开关管,其开关频率和峰值电压都可以做到很高,而且价格十分低廉,因此被广泛应用于各种电子电路中。常用的MOSFET有两种类型,一种是N沟道型MOSFET,另一种是P沟道型MOSFET。下面笔主就简单为大家介绍一下这两种类型的MOSFET的导通条件。1 N_MOSFET的导通条件N_MOSFET的导通条件是通过其阀值电压UGS(UGS>0)来控制的,一般每个不同MOSFET的规格书(datasheet)里面都会有一个阀值
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[常见问题解答]MOS管的极和沟道如何区分解析[ 2023-07-19 15:43 ]
MOS管的极和沟道如何区分解析绝缘栅型场效应管中,目前常用二氧化硅作金属铝栅极和半导体之间的绝缘层,称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管,简称为MOSFET或者MOS管。MOS管的电路符号1)G、D、S极怎么区分?G极是比较好区分的,大家一眼就能区分。不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是S极。不论是P沟道还是N沟道,单独引线的那边就是D极。2)N、P沟道如何区分?箭头指向G极的就是N沟道。箭头背向G极的就是P沟道。3)寄生二极管方向N沟道,由S极指向D极。P沟道,由D极指向S极。MOS管导通条件N沟道:Ug》U
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[常见问题解答]单向晶闸管的导通条件介绍[ 2023-06-13 17:05 ]
单向晶闸管的导通条件介绍单向晶闸管(Silicon Controlled Rectifier,简称SCR)是一种半导体器件,也是最早的一种晶闸管。它由四个半导体区域组成,具有三个电极:阳极、阴极和控制极。单向晶闸管具有单向导电性,只能从阳极流向阴极,反向电流非常小。同时,单向晶闸管具有可控性,可以通过控制极的信号来控制导通状态,广泛应用于电力电子设备中。单向晶闸管的主要特点包括:低压降、高电流承受能力、高温度承受能力、高可靠性等。它可以承受几百安培的电流,可以在高温环境下正常工作,寿命长,可以在恶劣的工作环境下正常
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[常见问题解答]Buck降压型开关稳压器自举电路详解[ 2023-03-03 12:24 ]
在Buck开关中,常使用N-MOS管作为功率开关管。相比于P-MOS,N-MOS具有导通电阻低价格便宜且流过电流较大等优势。在同步结构中对于开关管的使用一般有两种方式:上管为P-MOS,下管为N-MOS;无需外部自举电路上下管均为N-MOS;需要外部自举电路从上图可知,由于N-MOS导通条件是栅极电压比源极电压高。对于上管而言必须增加自举电路才能保证上管完全导通。下面就介绍下自举电路原理:①当上管关断下管打开时,开关节点处的电压拉低到GND。这时内部电源通过二极管给电容进行充电。②当上管打开下管关断时,开关节点电压
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[常见问题解答]可控硅导通条件介绍[ 2023-01-07 16:20 ]
可控硅是可控硅整流器的简称。可控硅有单向、双向、可关断和光控几种类型。它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。单向可控硅是一种可控整流电子元件,能在外部控制信号作用下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比,单向可控硅正向导通受控制极电流控制;与具有两个PN结的三极管相比,差别在于可控
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[常见问题解答]MOS管当开关控制时,为何用PMOS做上管NMOS做下管的介绍[ 2022-12-24 11:11 ]
了解 MOS 管的开通 / 关断原理你就会发现,使用 PMOS 做上管、NMOS 做下管比较方便。使用 PMOS 做下管、NMOS 做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。下面先了解 MOS 管的开通 / 关断原理,请看下图:NMOS 管的主回路电流方向为 D→S,导通条件为 VGS 有一定的压差,一般为 5~10V(G 电位比 S 电位高);而 PMOS 管的主回路电流方向为 S→D,导通条件为 VGS 有一定的压差,一般为 -5~-10V(S 电位比 G 电位高),下面以导通
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[常见问题解答]MOS管的导通条件、基本开关电路介绍[ 2022-10-13 14:59 ]
“ 这篇文章主要关于 MOS 管的导通条件和基本开关电路。”01 导通条件NMOS 管和 PMOS 管的导通条件不一样。对于 NMOS,当 Vg-Vs>Vgs(th)时,MOS 管导通,即 G 极和 S 极的差大于一定值,MOS 管会导通,但是也不能大太多,Vgs(th)和其他参数需要看 MOS 管的 SPEC。对于 PMOS,和 NMOS 管是相反的,当 Vs-Vg>vsg(th)时,PMOS 管导通,即 S 极和 G 极的差大于一定值,MOS 管会导通,但是也不能大太多,同样
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[常见问题解答]关于MOS管,场效应管快速恢复的说法 - 壹芯微[ 2021-09-28 16:12 ]
关于MOS管,场效应管快速恢复的说法 - 壹芯微MOS管(场效应管)是一种电压控制型器件,因此在驱动大电流时无需推动级,只需保证足够的开启电压;它分为成增强型以及耗尽型,P沟道以及N沟道一共4种类型,而我们经常用的只有增强型的MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。 而相对来说常用的是NMOS,这是因为导通电阻小、易生产,因此在开关电源和电压控制通断场合中,一般都用NMOS而不是PMOS。MOS导通条件:对于N沟道UG>US时导通;对于P沟道:UG<>MOS管并没有快速恢复之说
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[行业资讯]「12N65」MOS场效应管导通条件和基本开关电路解析 - 壹芯微[ 2021-07-31 09:10 ]
「12N65」MOS场效应管导通条件和基本开关电路解析型号:12N65(12A,650V)封装:TO-220品牌:壹芯微|类型:场效应管MOSFET多种封装 尺寸不同 参数一致 免费样品 欢迎咨询导通条件NMOS管和PMOS管的导通条件不一样。对于NMOS,当Vg-Vs>Vgs(th)时,MOS管导通,即G极和S极的差大于一定值,MOS管会导通,但是也不能大太多,Vgs(th)和其他参数需要看MOS管的SPEC。对于PMOS,和ZMOS管是相反的,当Vs-Vg>vsg(th)时,PMOS管导通,即S极和
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[行业资讯]「AO3415」MOS管作为开关控制时为何用PMOS做上管NMOS做下管-壹芯微[ 2021-07-26 09:10 ]
「AO3415」MOS管作为开关控制时为何用PMOS做上管NMOS做下管-壹芯微了解MOS管的开通/关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS 做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。下面先了解MOS管的开通 / 关断原理,请看下图:NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位
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[常见问题解答]三极管的导通条件介绍[ 2021-03-09 11:55 ]
三极管的导通条件介绍NPN型三极管和PNP型三极管的导通条件,晶体管的工作区域可以分为三个区域:  1.截止区:其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE<=UON且UCE>UBE 。此时IB=0,而iC<=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下,锗管的ICEO小于几十微安。因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。  2.放大区:其特征是发射结正向偏置(UBE大于发射结开启电压UON)且集电结反向偏置。对于共射电路,UBE
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[常见问题解答]MOS管开通,关断-了解MOS管的开通,关断原理分析[ 2020-12-02 16:23 ]
MOS管开通,关断-了解MOS管的开通,关断原理分析MOS管的开通,关断了解MOS管的开通,关断原理你就会发现,使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂,一般情况下意义不大,所以很少采用。下面先了解MOS管的开通,关断原理,请看下图:NMOS管的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);而PMOS管的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高),
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