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[常见问题解答]移相全桥软开关技术比较：ZVS与ZVZCS优劣全解析[ 2025-04-16 11:11 ]

在高效电能转换系统的设计过程中，移相全桥结构因其具备高可靠性与较低开关损耗，在中大功率DC-DC转换器中被广泛采用。而为了进一步减少器件在开关瞬间的应力与损耗，软开关技术成为重要优化方向。目前常见的软开关实现形式主要包括ZVS（零电压开通）和ZVZCS（零电压零电流开关）两种。一、ZVS在移相全桥中的实现与特点ZVS（Zero Voltage Switching）即开关器件在关断之后，其两端电压被完全释放为零后再进行开通。该技术主要依赖电路中的寄生电容与变压器漏感来完成能量的移除，从而降低硬开通带来的损耗。ZVS型

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[常见问题解答]LLC变压器设计中的四个关键挑战与应对策略[ 2025-04-14 11:26 ]

LLC变压器是一种基于谐振式拓扑结构的电源变压器，因其零电压开关和较低的开关损耗，常被用于大功率、高效率的电源设计中。然而，在实际应用中，LLC变压器的设计并非总是顺利，设计师往往会遇到一些关键挑战。1. 空载电压问题：如何避免输出电压偏高在LLC变压器设计中，空载电压偏高是一个常见问题。特别是在轻载时，寄生电容和漏感的影响会导致变压器的输出电压高于设计值。其主要原因在于，当绕组匝数过多时，绕组之间的寄生电容与漏感产生相互作用，形成寄生振荡，这种振荡会在轻负载下显得尤为明显，导致输出电压升高。为了应对这一问题，可以

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[常见问题解答]MOS管米勒效应详解：原理、影响及抑制方法[ 2025-04-09 10:42 ]

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为一种广泛应用于电子电路中的半导体器件，其特性和行为对电路的整体性能有着深远的影响。尤其是当MOS管应用于高频电路时，米勒效应对电路的表现尤为关键。一、米勒效应的原理米勒效应主要发生在具有增益的放大器中，尤其是在MOS管等场效应管(FET)电路中。输入和输出端之间的电容耦合是米勒效应的核心。输入电容(Cgs)和反向电容(Cgd)是MOS管的两种常见的寄生电容。这些电容在放大过程中对电路的表现产生了重大影响

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[常见问题解答]MOS管热管理结构如何干扰或改善EMC表现[ 2025-04-08 12:27 ]

在现代电子设备中，MOSFET器件以其高效率和快速开关特性被广泛应用于功率转换、驱动控制和电源管理系统中。然而，在追求热管理效果的同时，往往忽略了散热结构对EMC（电磁兼容性）性能所带来的潜在影响。事实上，MOS管的热管理设计不仅影响器件的工作温度，还在很大程度上左右了整个系统的辐射和传导干扰水平。一、热管理结构为何影响EMC表现散热系统本质上是与MOSFET物理连接的金属体，其存在不可避免地会引入寄生电容结构。当MOS管处于高频率快速切换时，这些金属结构便成为耦合路径的一部分。特别是在浮置状态下的散热片，很容易成

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[常见问题解答]如何提升BJT在高频应用中的效率与稳定性[ 2025-01-07 11:10 ]

提高BJT在高频应用中的效率与稳定性是电子技术中的一项关键挑战。双极晶体管（BJT）因其优异的电流放大特性而广泛应用于许多电子电路中。BJT的性能直接影响电路的表现，尤其在高频应用中尤为显著。随着低功耗和高稳定性需求的增长，提高BJT在高频条件下的效率和稳定性变得尤为重要。本文将详细探讨BJT在高频工作条件下的特性，并提出一系列优化策略来提升其在高频应用中的性能。一、BJT在高频应用中的挑战在高频应用中，BJT的性能常受到寄生电容、寄生电感和BJT本身开关速度等多种因素的限制。这些因素与其物理结构以及电路环境密切相

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[常见问题解答]离子注入技术中的晕环现象：影响因素与控制策略[ 2025-01-06 12:28 ]

离子注入技术是影响集成电路性能的重要工艺之一，特别是在MOSFET器件的特征尺寸不断缩小的背景下，离子注入技术变得越来越精确和可控。在离子注入过程中，光晕现象是一种显著的物理效应，它直接影响半导体器件的性能。本文详细介绍了晕圈现象的产生原因、影响因素以及控制策略，旨在帮助理解晕圈现象在离子注入中的作用。一、晕圈现象的基本概述光晕效应通常指在离子注入过程中，离子束的不均匀分布导致注入区域边缘形成浓度过渡区。光晕效应与离子束的扩散和散射密切相关，尤其在半导体器件的制造中，它会引起阈值电压的变化和寄生电容的增加，从而影响

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[常见问题解答]过孔寄生效应对PCB电路板信号完整性的影响分析[ 2024-12-03 12:00 ]

在现代电子设备中，印刷电路板是负责复杂电路和信号传输的核心部件之一。随着电路频率不断提高，PCB设计和布线要求越来越高，过孔数量已成为影响电路板信号完整性的关键因素之一。寄生电容、寄生电感等寄生效应会对信号传输质量产生重大影响，进而影响PCB的整体性能和可靠性。本文详细分析了寄生过孔对PCB信号完整性的影响，并介绍了如何优化过孔设计以减少这些对PCB的影响。一、过孔的基本作用电路板中连接各个层的导电通道，通常由铜制成，用于传输电信号或电力。在理想的PCB设计中，过孔应该是透明的，虽然它们不会对传输造成任何干扰，但过

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[常见问题解答]深入解析：MOS管寄生参数如何影响电路性能[ 2024-10-11 16:24 ]

MOS管在现代电子设计中起着至关重要的作用。无论是在电源管理、放大器设计还是高频应用中，MOS管不仅受到其基本电学特性的影响，还受到寄生参数的影响。这些寄生参数与MOS管的内部结构、制造工艺以及电路布局密切相关，并对MOS管的性能、速度、增益和功耗产生重大影响。本文将详细分析MOS管中的寄生参数类型及其对电路性能的影响，并讨论如何减轻这些影响。一、寄生参数是指在实际应用中不可避免的附加参数。它们主要包括寄生电容、寄生电感和源极/漏极电感。具体的寄生参数如下：- 寄生电容：包括栅漏电容（Cgd）、栅源电容（Cgs）和

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[常见问题解答]MOS管尖峰电压：成因、影响与防护措施分析[ 2024-10-10 11:52 ]

MOS管因其高效的开关速度和低导通电阻而被广泛用作开关电源和电机驱动领域的核心器件。然而，在高频、大电流的工作环境下，经常会出现峰值电压，这不仅影响系统稳定性，还会造成设备损坏。本文详细分析了MOS管出现峰值电压的原因、对电路的影响以及常见的保护措施。一、MOS管中产生峰值电压的原因主要与电路中的寄生参数和开关过程中的电气特性有关。1. 寄生电容的影响MOS管工作时，存在内部寄生电容，例如栅源电容（Cgs）和漏源电容（Cds）。这些寄生电容在MOS管的开关过程中进行充电和放电。特别是当MOS管从导通状态转变为截止状

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[常见问题解答]SiC器件开关性能受系统寄生参数影响的深入探讨[ 2024-09-04 14:36 ]

随着碳化硅（SiC）技术的不断成熟和推广，其在高压电力电子设备中的应用日益增加。SiC器件因其能在高温、高压和高频率条件下工作而受到青睐。然而，系统内部的寄生参数，如寄生电容和寄生电感，对SiC器件的开关性能有着显著影响。本文通过详细分析，探讨这些系统寄生参数是如何影响SiC器件的性能，尤其是在开关操作中的具体表现。一、寄生电感的影响在电力电子转换系统中，寄生电感主要来源于电连接和布线。在SiC MOSFETs和二极管开关时，寄生电感可以引起显著的电压超调，从而对器件造成额外的电压应力。当开关器件尝试快速切换时，这

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[常见问题解答]从理论到实践：如何有效识别并减少ADC采样开关的误差[ 2024-07-31 14:31 ]

一、栅压自举电路：增强采样开关性能为了提升导通电阻的线性度并降低由采样开关引起的谐波，采用了栅压自举电路设计。此电路理论上能够使栅压独立于输入信号，保持一个稳定的导通电阻。在电路的运作中，特定的MOS管组合在时钟信号的不同阶段进行预充电和输出调节，以适应输出需求。这种设计虽然可以优化性能，但需要在寄生电容影响和采样速度之间做出权衡。二、ADC采样的基本原理与挑战在数字信号转换的过程中，ADC的核心任务是将连续的模拟信号转化为离散的数字信号。这一过程中必须精确定义采样参数，如采样率或采样频率，以确保信号的连续性和完整

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[常见问题解答]提高 DC/DC 开关电源电磁兼容性的五个关键步骤[ 2024-05-14 10:12 ]

DC/DC开关电源中的电磁兼容性设计策略DC/DC开关电源以其高效、体积小等优势在现代电子产品中占据重要地位。然而，由于开关型器件的快速电压和电流变化，电磁兼容性测试常遇到问题，影响开发周期和产品上市时间，特别是在复杂的工业环境中。一、噪声源的分析与处理DC/DC开关电源的电磁兼容问题首要在于噪声源的分析。开关电源中，开关频率及其谐波是主要干扰源。此外，30 MHz至400 MHz的宽带干扰频谱常见于暗室测量，这是由于MOSFET输出电容CDS、结电容和肖特基二极管的寄生电容及导体走线的寄生电感共同引起的高频LC振

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[常见问题解答]开关电源RCD钳位电路的工作原理解析[ 2024-01-24 18:19 ]

开关电源RCD钳位电路的工作原理解析一、RCD钳位电路反激式开关电源的RCD钳位电路由电阻R1、电容C1和二极管D1组成，如下图，其中：Lk为变压器的漏感，Lp为变压器原边绕组电感、Cds为Q1的寄生电容、T1为变压器、Q1是开关管、D2是输出整流二极管，E1是输出滤波电容。变压器漏感Lk与原边电感Lp串联，原边电感Lp与变压器T1并联。原边电感Lp的能量可通过理想变压器T1耦合至副边，给后端负载提供能量。但变压器漏感Lk的能量无法耦合至副边，只能通过寄生电容释放能量，引起的尖峰电压，可以通过电阻R1吸收回路吸收能

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[常见问题解答]SiC MOSFET的结构和特性介绍[ 2023-08-21 16:47 ]

SiC MOSFET的结构和特性介绍SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，如图1所示。这种结构的特点是工艺简单，单元的一致性较好，雪崩能量比较高。但是，这种结构的中间，N区夹在两个P区域之间，当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时，将产生JFET效应，从而增加通态电阻；同时，这种结构的寄生电容也较大。图1：平面SiC MOSFET的结构沟槽SiC MOSFET的结构，如图2所示。这种结构将栅极埋入基体中，形成垂直的沟道，由于要开沟槽，工艺变

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[常见问题解答]场效应管漏极和源极之间产生的浪涌介绍[ 2023-08-07 15:59 ]

场效应管漏极和源极之间产生的浪涌介绍开关导通时，线路和电路板版图的电感之中会直接积蓄电能（电流能量）。当该能量与开关器件的寄生电容发生谐振时，就会在漏极和源极之间产生浪涌。下面将利用图1来说明发生浪涌时的振铃电流的路径。这是一个桥式结构，在High Side（以下简称HS）和Low Side（以下简称LS）之间连接了一个开关器件，该图是LS导通，电路中存在开关电流IMAIN的情形。通常，该IMAIN从VSW流入，通过线路电感LMAIN流动。本文的关键要点漏极和源极间的浪涌是由各种电感分量和MOSFET寄生电容的谐振

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[常见问题解答]场效应管G极与S极之间的电阻作用解析[ 2023-07-22 16:34 ]

场效应管G极与S极之间的电阻作用解析MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻，其源头都在于这三个寄生电容。MOS管内部寄生电容示意IRF3205寄生电容参数1.MOS管的米勒效应MOS管驱动之理想与现实理想的MOS管驱动波形应是方波，当Cgs达到门槛电压之后， MOS管就会进入饱和导通状态。而实际上在MOS管的栅极驱动过程中，会存在一个米勒平台。米勒平台实际上就

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[常见问题解答]PFC场效应管Vds检测解析[ 2023-06-29 18:17 ]

PFC场效应管Vds检测解析1.电感电流负1A检测2.PFCMOS管Vds检测通过调节频率使PFC电感电流在每个高频周期过零，以实现PFC二极管的零电流关断，消除反向恢复损耗。PFC二极管电流过零后，PFC电感与MOSFET寄生电容谐振，使Vds过零以实现零电压开通，不过零则谷底开通，降低开关损耗。3. 不检测，DSP直接计算壹芯微科技专注于“二,三极管、MOS(场效应管)、桥堆”研发、生产与销售，21年行业经验，拥有先进全自动化双轨封装生产线、高速检测设备等，研发技术、芯片源自台湾，专业生

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[常见问题解答]有桥交错PFC拓扑介绍[ 2023-06-29 17:05 ]

有桥交错PFC拓扑介绍有桥交错PFC拓扑有桥交错PFC之错相通过调节频率使PFC电感电流在每个高频周期过零，以实现PFC二极管的零电流关断，消除反向恢复损耗。PFC二极管电流过零后，PFC电感与MOSFET寄生电容谐振，使Vds过零以实现零电压开通，不过零则谷底开通，降低开关损耗。两相TM交错180deg后可大幅减小输入高频纹波。该拓扑特点总结如下：(1)存在低频整流二极管的导通损耗; 并联两个整流桥,解决散热问题。(2)其零电流关断特性消除了升压二极管的反向恢复损耗; 可以采用便宜的快恢复二极管。(3)使用TM控

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[行业资讯]MOS管G极与S极之间的电阻作用解析[ 2023-06-08 17:29 ]

MOS管G极与S极之间的电阻作用解析MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻，其源头都在于这三个寄生电容。MOS管内部寄生电容示意IRF3205寄生电容参数1.MOS管的米勒效应MOS管驱动之理想与现实理想的MOS管驱动波形应是方波，当Cgs达到门槛电压之后， MOS管就会进入饱和导通状态。而实际上在MOS管的栅极驱动过程中，会存在一个米勒平台。米勒平台实际上就

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[常见问题解答]传导EMI的问题如何避免介绍[ 2023-05-30 12:02 ]

传导EMI问题如何避免介绍大多数传导 EMI 问题是由共模噪声引起的。此外，大多数共模噪声问题是由电源中的寄生电容引起的。开关电源本质上具有高 dV/dt 的节点。将寄生电容与高 dV/dt 混合会产生 EMI 问题。当寄生电容的另一端连接到电源的输入端时，少量电流会直接泵入电源线。两个导体之间的电容与导体的表面积成正比，与它们之间的距离成反比。查看电路中的每个节点，并密切注意具有高 dV/dt 的节点。考虑一下布局中该节点上有多少表面积以及从输入线到电路板的距离。开关MOSFET和缓冲电路的漏极是常见的罪犯。尽

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