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[常见问题解答]降低电源损耗：开关电源缓冲电路的设计技巧[ 2025-03-15 10:51 ]

在现代电子设备的电源设计中，提高效率和降低损耗是关键目标之一。特别是在高频开关电源中，开关损耗和寄生参数导致的能量损失会影响电路的整体性能。缓冲电路在减小开关电源中的损耗、改善电压尖峰、提高功率器件可靠性等方面起着至关重要的作用。一、开关电源损耗的主要来源开关电源的损耗主要包括导通损耗、开关损耗以及由于寄生参数导致的损耗。1. 导通损耗：当开关管（如MOSFET或IGBT）导通时，管内电阻（Rds(on)）会产生一定的功率损耗，损耗大小与电流平方成正比。2. 开关损耗：在开关管开通和关断的瞬间，由于电流和电压的变化

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[常见问题解答]MOS管选型常见误区：参数理解错误导致的严重后果[ 2025-03-14 12:06 ]

MOS管的选型对于电子电路设计至关重要，然而，许多工程师在选型过程中往往因为误读参数而导致严重后果，甚至直接造成产品失效。1. VDS耐压误判：忽视动态尖峰电压案例分析：某充电桩设计中，工程师选用了标称耐压650V的MOS管，然而，在实际测试中，因电路的关断尖峰高达720V，导致MOSFET大批量击穿，直接引发系统故障。误区解析：MOS管的VDS耐压通常指的是直流耐压值，而实际应用中，由于电感效应、寄生参数等因素，MOS管在开关瞬间可能会出现数十甚至上百伏的尖峰电压，如果设计时没有考虑这些动态尖峰，就容易导致MOS

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[常见问题解答]TVS二极管 vs. ESD静电二极管：瞬态过压防护如何抉择？[ 2025-03-04 10:23 ]

在电子电路设计中，瞬态过压防护至关重要，特别是在高速数据通信和电源管理领域。为了防止静电放电（ESD）或雷击浪涌（Surge）等瞬态事件损坏电子元件，常见的防护方案包括TVS（Transient Voltage Suppression）二极管和ESD静电二极管。虽然二者在原理上类似，但在应用场景、功率承受能力和寄生参数上存在显著区别。那么，在实际电路设计中，究竟应该如何选择？一、瞬态过压的危害与防护需求瞬态过压事件主要分为两类：1. 静电放电（ESD）——常见于人体或设备对电子产品的放电，如

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[常见问题解答]开关电源噪声的来源及有效对策解析[ 2025-01-16 11:10 ]

开关电源在电子设备中应用十分广泛，其效率高、体积小，是主要噪声源之一。它可能会影响电路的性能，也可能影响其他电子设备的正常运行。因此，了解开关电源噪声产生的原因及针对噪声的有效对策具有十分现实的意义。一、高频开关操作开关电源运行时，通过频繁切换能量转换功率管来实现。这种高频切换会产生强烈的电磁干扰。尤其当开关频率较高时，噪声会成为一个主要问题。此外，较短的上升和下降波形时间也会产生更宽的噪声成分频谱。二、寄生参数的影响开关电源中的电感器、电容器和电路板走线都表现出某些寄生参数。在高频工作环境中，容易发生振动、谐波、

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[常见问题解答]CMOS逻辑电路噪声问题的技术分析及优化解决方案[ 2025-01-16 10:46 ]

CMOS逻辑电路具有低功耗、高速、高密度等优点，在现代电子设备中得到广泛的应用。但在高速信号处理和复杂的电路环境中，噪声问题已经成为影响性能的主要因素。可靠性也得到了提高。本文对CMOS逻辑电路中的噪声问题进行了技术分析并提出了相应的优化解决方案。一、噪声问题的主要原因1. 开关噪声开关噪声是最常见的噪声问题。常见的噪声问题通常是由输出开关速度过快或电路内的寄生参数引起的。在开关过程中，大电流流过电感，产生电压尖峰并产生噪声。这些故障可能导致故障和系统不稳定。2. 信号反射在高速逻辑电路中，常常由于传输线的特性阻抗

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[常见问题解答]MOS管寄生效应：如何优化电路设计中的寄生参数[ 2024-11-07 12:07 ]

MOS管（金属氧化物半导体管）已成为现代电子设计中必不可少的核心元件。随着集成电路技术的发展，MOS管的应用场景逐渐扩展到各种高频、大功率电路。然而，在MOS管的实际工作过程中，往往忽视寄生效应对电路性能的影响，导致电路设计中出现稳定性和效率问题。本文介绍MOS管的寄生效应以及如何优化您的电路设计，减少这些寄生参数的影响。一、MOS管寄生效应概述MOS管寄生效应与电路布局、制造工艺、封装方法等因素有关。你需要了解MOS管的基本电气特性。这些寄生参数通常包括输入电容、输出电容、漏极电导率、寄生电感等。这些会导致信号传

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[常见问题解答]深入解析：MOS管寄生参数如何影响电路性能[ 2024-10-11 16:24 ]

MOS管在现代电子设计中起着至关重要的作用。无论是在电源管理、放大器设计还是高频应用中，MOS管不仅受到其基本电学特性的影响，还受到寄生参数的影响。这些寄生参数与MOS管的内部结构、制造工艺以及电路布局密切相关，并对MOS管的性能、速度、增益和功耗产生重大影响。本文将详细分析MOS管中的寄生参数类型及其对电路性能的影响，并讨论如何减轻这些影响。一、寄生参数是指在实际应用中不可避免的附加参数。它们主要包括寄生电容、寄生电感和源极/漏极电感。具体的寄生参数如下：- 寄生电容：包括栅漏电容（Cgd）、栅源电容（Cgs）和

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[常见问题解答]MOS管尖峰电压：成因、影响与防护措施分析[ 2024-10-10 11:52 ]

MOS管因其高效的开关速度和低导通电阻而被广泛用作开关电源和电机驱动领域的核心器件。然而，在高频、大电流的工作环境下，经常会出现峰值电压，这不仅影响系统稳定性，还会造成设备损坏。本文详细分析了MOS管出现峰值电压的原因、对电路的影响以及常见的保护措施。一、MOS管中产生峰值电压的原因主要与电路中的寄生参数和开关过程中的电气特性有关。1. 寄生电容的影响MOS管工作时，存在内部寄生电容，例如栅源电容（Cgs）和漏源电容（Cds）。这些寄生电容在MOS管的开关过程中进行充电和放电。特别是当MOS管从导通状态转变为截止状

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[常见问题解答]SiC器件开关性能受系统寄生参数影响的深入探讨[ 2024-09-04 14:36 ]

随着碳化硅（SiC）技术的不断成熟和推广，其在高压电力电子设备中的应用日益增加。SiC器件因其能在高温、高压和高频率条件下工作而受到青睐。然而，系统内部的寄生参数，如寄生电容和寄生电感，对SiC器件的开关性能有着显著影响。本文通过详细分析，探讨这些系统寄生参数是如何影响SiC器件的性能，尤其是在开关操作中的具体表现。一、寄生电感的影响在电力电子转换系统中，寄生电感主要来源于电连接和布线。在SiC MOSFETs和二极管开关时，寄生电感可以引起显著的电压超调，从而对器件造成额外的电压应力。当开关器件尝试快速切换时，这

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[常见问题解答]开关电源中安规Y电容与X电容的作用介绍[ 2023-07-10 16:53 ]

开关电源中安规Y电容与X电容的作用介绍1 前言开关电源模块的电磁干扰一直是一个重要解决点，从原理上来讲电磁干扰主要来自于两个方面，分别是传导干扰和辐射干扰。2 传导干扰由于电路中寄生参数的存在，以及开关电源中调频开关器件的开通与关断，使得开关电源在市电交流输入端产生较大共模干扰和差模干扰。3 辐射干扰由于导体中电流的变化会在其周围空间中产生变化的磁场，而变化的磁场又产生变化的电场，这一变化电流的幅值和频率决定其产生的电磁的大小以及其作用范围。为了减轻和抵制这些电磁干扰对电网以及电子设备产生的危害，工程技术人员在电路

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[常见问题解答]开关电源产生电磁干扰与抑制措施介绍[ 2023-07-07 15:45 ]

开关电源产生电磁干扰与抑制措施介绍一、引言电磁兼容性（EMC）是指电子设备或系统在规定的电磁环境电平下不因电磁干扰而降低性能指标，同时它们本身产生的电磁辐射不大于规定的极限电平，不影响其它电子设备或系统的正常运行，并达到设备与设备、系统与系统之间互不干扰、共同可靠地工作的目的。开关电源作为一种电源设备，其应用越来越广泛。随着电力电子器件的不断更新换代，开关电源的开关频率及开关速度不断提高，但开关的快速通断，引起电压和电流的快速变化。这些瞬变的电压和电流，通过电源线路、寄生参数和杂散的电磁场耦合，会产生大量的电磁干扰

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[常见问题解答]MOSFET的EOSS参数解析[ 2023-05-23 17:13 ]

MOSFET的EOSS参数解析Mosfet的寄生参数，其中Eoss是一个非常重要的参数。1、Eoss参数的重要性对于硬开关变换电路来说，MOSFET开通之前，Coss需要释放能量，这部分能量就构成一部分导通损耗。对于软开关变换电路来说，MOSFET开通之前，电流可以为零，也可以流过反向二极管续流。实现了软开关减小了导通损耗。因此，Eoss在于硬开关电路里面是非常重要的。对于软开关电路来说，Eoss并不会太影响效率。2、Eoss参数的来源2.1 Coss的来源Coss为MOSFET的寄生电容，Coss = Cgd +

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[常见问题解答]电源设计经验「MOS场效应管」驱动电路详解(图) - 壹芯微[ 2021-08-11 09:48 ]

电源设计经验「MOS场效应管」驱动电路详解(图) - 壹芯微在使用MOSFET设计开关电源时，大多都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但大多时候也仅仅只考虑了这些因素，这样的电路或许可以正常工作，但不是一个最好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：

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[常见问题解答]MOS管栅极驱动电阻怎么设计[ 2019-12-05 12:17 ]

MOS管栅极驱动电阻怎么设计MOS管的驱动对其工作效果起着决定性的作用。设计师既要考虑减少开关损耗，又要求驱动波形较好即振荡小、过冲小、EMI小。这两方面往往是互相矛盾的，需要寻求一个平衡点，即驱动电路的优化设计。驱动电路的优化设计包含两部分内容：一是最优的驱动电流、电压的波形；二是最优的驱动电压、电流的大小。在进行驱动电路优化设计之前，必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。MOS管的模型MOS管的等效电路模型及寄生参数如图

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[常见问题解答]MOS管选择最适合的驱动电路详情[ 2019-10-10 11:23 ]

在开关电源等电力系统设计中，设计人员关心最多的是MOS管的几个参数，如导通电阻、最大电压、最大电流。这些因素固然重要，考虑不妥会使电路无法正常工作，但实际上这只完成了第一步，MOS管本身的寄生参数才是影响电路西能的关键。选择了一个适合的MOS管、电源IC，说明你是一个合格的采购工程师。如何用好这只管子，就需要对驱动电路进行优化，包括驱动脚输出的峰值电流、上升速率等，因为这些将直接影响MOS管的开关性能。用电源IC直接驱动MOS管一个好的MOS管驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充

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[常见问题解答]MOS管驱动电路解析与寄生参数会带来哪些影响[ 2019-05-23 12:22 ]

壹芯微作为国内专业生产二三极管的生产厂家,生产技术已经是非常的成熟,进口的测试仪器,可以很好的帮组到客户朋友稳定好品质,也有专业的工程师在把控稳定质量,协助客户朋友解决一直客户自身解决不了的问题,每天会分享一些知识或者客户的一些问题,今天我们分享的是,MOS管驱动电路解析与寄生参数会带来哪些影响,请看下方跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是

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