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三极管WNM2020参数

PD最大耗散功率:0.24WID最大漏源电流:0.29AV(BR)DSS漏源击穿电压:20VRDS(ON)Ω内阻:310MΩVRDS(ON)ld通态电流:0.55AVRDS(ON)栅极电压:4.5VVGS(th)V开启电压:0.45~0.85VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:2SGfs(min)VDS漏源电压:25VGfs(min)lo通态电流:5.5A

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    WNM2020是一种高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET),在各种电子设备中都有广泛的应用。以下是WNM2020的应用场景和参数特点:

    一、应用场景:

    1. 电源管理:WNM2020可用作电源管理电路中的开关,例如DC-DC转换器和线性稳压器。其低导通电阻和高开关速度使其成为高效能电源管理系统的理想选择。

    2. 电机驱动:WNM2020可用于驱动各种类型的电机,例如直流电机和步进电机。其高电流承受能力和低开关损耗使其能够提供高效的电机控制。

    3. LED照明:WNM2020可用于LED驱动器电路中,实现高效的LED照明系统。其低静态电流和低压降特性有助于减少LED驱动器的功耗。

    4. 电池管理:WNM2020可用于电池管理系统中的充放电控制和保护电路。其低漏电流和高电压容忍度确保了电池系统的高效率和可靠性。

    5. 电子开关:WNM2020可以作为各种电子开关应用中的关键元件,例如模拟开关和数字开关。其快速开关特性和低静态功耗使其在高性能电子系统中得到广泛应用。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:WNM2020具有低导通电阻,可降低系统功耗和提高效率。

    2. 高开关速度:WNM2020具有快速的开关速度,有助于提高系统响应速度和性能。

    3. 低静态功耗:WNM2020的低漏电流和低静态功耗有助于减少系统能耗,延长电池寿命。

    4. 高电流承受能力:WNM2020能够承受较高的电流,适用于高功率应用。

    5. 稳定可靠:WNM2020具有稳定可靠的性能,在各种环境条件下都能保持良好的工作状态,确保系统的长期稳定运行。

    通过以上详细分析,可以看出WNM2020在各种电子应用中具有重要作用,并且具备了一系列优秀的参数特点,使其成为工程设计中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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