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场效应MOS管W20NK50Z参数

PD最大耗散功率:190WID最大漏源电流:17AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.27ΩVRDS(ON)ld通态电流:8.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    W20NK50Z是一款常见的功率MOSFET(场效应管),其应用场景和参数特点使其在许多电子电路中发挥重要作用。本文将详细介绍W20NK50Z的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 开关电源:W20NK50Z在开关电源中常被用作主开关器件。其低导通电阻和高耐压能力使其在高效率、高频率的开关电源中表现出色。这种应用场景包括台式计算机电源、服务器电源以及通信设备电源等。

    2. 电动汽车:在电动汽车中,W20NK50Z被用于电机驱动器和电池管理系统中。其高电流处理能力和低开关损耗特性,使其在高功率转换过程中提高效率,减少热量产生,从而提高整车性能和续航里程。

    3. 光伏逆变器:光伏逆变器需要高效的功率转换器件来将直流电转换为交流电。W20NK50Z由于其高效率和高耐压特性,非常适合用于光伏逆变器中,帮助提高太阳能发电系统的整体效率和可靠性。

    4. 电源管理:在各种电子设备的电源管理电路中,W20NK50Z被广泛使用。其优秀的电气特性确保了电源管理电路的稳定性和高效性,从而延长设备使用寿命,降低故障率。

    5. 工业控制:工业控制系统需要可靠且高效的开关器件。W20NK50Z以其耐用性和稳定性被广泛应用于各种工业控制设备中,包括变频器、可编程逻辑控制器(PLC)以及自动化生产线中的各种控制模块。

    二、参数特点:

    - 导通电阻(RDS(on))低:W20NK50Z具有极低的导通电阻,这意味着在导通状态下,电能损耗非常小。这种低导通电阻特性使其非常适合高效率的电源和转换应用。

    - 高耐压能力:W20NK50Z的耐压值达到200V,确保了其在高压应用中的安全性和可靠性。高耐压能力使其能够处理较高电压的应用而不容易损坏。

    - 高脉冲电流处理能力:W20NK50Z可以处理高达80A的脉冲电流,使其能够在短时间内处理大电流,这对于需要瞬时高电流的应用场景非常重要,如启动电路和突发负载。

    - 低栅极电荷(Qg):W20NK50Z的低栅极电荷特性使其能够快速开关,减少开关损耗,提高电路的整体效率。这对于高频开关电路尤其重要,因为每次开关都会产生损耗。

    - 高热稳定性:W20NK50Z在高温条件下仍能保持稳定的性能,这对于需要在高温环境中运行的设备非常关键。其高热稳定性意味着在高温环境下仍能提供可靠的性能,不易因温度变化而失效。

    综上所述,W20NK50Z以其多样的应用场景和优越的参数特点,成为许多高效、高可靠性电子设备的首选元件。在选择功率MOSFET时,W20NK50Z无疑是一个值得考虑的优秀型号。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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