收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 静电和浪涌保护(TVS/ESD) » VTVS58GSMF-M3-08

VTVS58GSMF-M3-08

封装: DO-219AB(SMF)
商品目录: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm): 57.6V
最大钳位电压: 98V
击穿电压: 66.64V
类型: TVS

立即咨询


    VTVS58GSMF-M3-08是一款广泛应用于电源保护和电压浪涌抑制的TVS(瞬态电压抑制)二极管。其高可靠性和出色的瞬态电压吸收能力使其适用于各种恶劣的工业和消费电子应用环境。

    一、应用场景

    1.电路保护:VTVS58GSMF-M3-08广泛应用于直流或交流电源的输入端,防止过压或瞬态峰值电压扰动造成电路损坏。

    2.通信设备保护:适用于通信基站、路由器等接口保护,有效吸收雷击或电网波动可能引起的瞬态电压。

    3.汽车电子应用:VTVS58GSMF-M3-08用于保护车辆控制系统中的敏感电路,防止因线路噪声和电压尖峰导致的设备故障。

    4.工业控制设备:用于保护工业设备的电源接口,保证设备长期稳定运行。

    5.消费电子产品:用于抑制移动电话、笔记本电脑和其他便携式设备接口以及电源线上的电压瞬变。

    二、参数特点

    - 反向击穿电压:典型值为57.6V,可满足中压保护要求。

    - 最大钳位电压:最大98V,在高压瞬态条件下有效钳位电压,保护下游电路。

    - 峰值脉冲功率:400W,具有高瞬态功率处理能力,适合恶劣环境。

    - 峰值脉冲电流:4.01A,可处理大瞬态电流浪涌。

    - 电容:1MHz频率下典型电容为245pF,保证信号完整性,适合高速信号传输场景。

    - 封装形式:DO-219AB (SMF) 封装,设计紧凑,可轻松集成到空间有限的设备中。

    - 工作温度范围:-55°C 至 175°C,确保即使在恶劣环境条件下也能稳定运行。

    总的来说,VTVS58GSMF-M3-08是保护设计的理想选择,抑制功能大大提高了系统的稳定性和安全性。是工业、汽车和消费电子领域必不可少的核心部件之一。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号