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VTVS12GSMF-M3-08

封装: DO-219AB(SMF)
商品目录: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性: 单向
反向截止电压(Vrwm): 12.4V
最大钳位电压: 20.1V
击穿电压: 14.41V
类型: TVS

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    VTVS12GSMF-M3-08是一款单向瞬态电压抑制(TVS)器件,广泛应用于需要高可靠性和稳定性保护的电源和信号线路。

    一、应用场景

    1.电源线保护:VTVS12GSMF-M3-08保护电源输入侧设备免受瞬态电压损坏,适用于开关电源和通信设备。

    2.数据线保护:传输数据时,VTVS12GSMF-M3-08用于抑制静电放电(ESD)或电磁干扰(EMI)引起的干扰,保证敏感信号的传输质量。

    3.工业电子:VTVS12GSMF-M3-08用于工业控制系统保护电路,有效防止电源波动、雷击等引起的线路过压问题。

    4.消费类电子产品:适用于保护便携式智能手机、平板电脑等,保证设备电源或接口正常工作和使用寿命。

    5.汽车电子:在汽车电子系统中,VTVS12GSMF-M3-08可以有效吸收电压浪涌,保护汽车电路免受突然过压(如12.4V)的影响。这使其能够适应不同电压范围的电路设计要求。

    二、参数特点

    - 峰值脉冲功率:峰值脉冲功率为400W,这意味着可以保护敏感设备免受高能量的短期影响。

    - 峰值脉冲电流:最大峰值脉冲电流为19.53A,可有效吸收大电流浪涌。

    - 击穿电压:最低击穿电压为14.41V,即使在高压环境下也能保证良好的性能。

    - 电容值:VTVS12GSMF-M3-08的电容值为807pF(在1MHz条件下),在高速信号线中表现出优异的特性。

    - 工作温度范围:支持-55℃至175℃的宽温度范围,适应性强,兼容各种恶劣的工作环境。

    - 封装形状:采用DO-219AB封装,具有优异的热性能和机械强度,并且易于表面贴装。

    总的来说,VTVS12GSMF-M3-08具有优异的瞬态电压抑制能力、高可靠性和广泛的适用性,使其成为现代电路保护中必不可少的重要器件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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