收藏壹芯微 | 在线留言| 网站地图

您好!欢迎光临壹芯微科技品牌官网

壹芯微

深圳市壹芯微科技有限公司二极管·三极管·MOS管·桥堆

全国服务热线:13534146615

壹芯微二极管
首页 » 壹芯微产品中心 » 静电和浪涌保护(TVS/ESD) » VESD12A5-06GHG3-08

VESD12A5-06GHG3-08

封装: SOT-363
商品目录: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm): 12V
最大钳位电压: 22.7V
击穿电压: 13.9V
类型: TVS

立即咨询


    VESD12A5-06GHG3-08是一款高效瞬态电压抑制二极管 (TVS),主要用于保护敏感电子设备免受瞬态电压和浪涌电流的影响。

    一、应用场景

    1. 数据通讯保护:VESD12A5-06GHG3-08用于高速通讯设备,防止静电放电和瞬态浪涌造成的信号干扰和损坏,保证数据传输的完整性。

    2. 汽车电子系统:广泛应用于汽车控制模块和配电模块等关键部件,保护敏感电路免受浪涌损坏。

    3. 消费电子设备:在智能手机和平板电脑等便携式设备中,VESD12A5-06GHG3-08提供高效的电路保护,以延长设备的使用寿命。

    4. 工业自动化:用于工业控制设备中,保护传感器和通讯接口,保护控制电路免受瞬态电压浪涌的影响,确保系统可靠性。

    5. 医疗设备:用于医疗监控设备和成像系统,防止敏感电子元件因电涌而发生故障。

    二、参数特点

    - 反向关断电压:标准值为12V,可在较宽的电压范围内提供稳定的保护。

    - 支持峰值脉冲电流:高达4.4A(8/20μs波形)并具有高浪涌抗扰度,可有效应对高能量瞬态电流浪涌。

    - 峰值脉冲功率:额定功率100W,满足大多数电子设备的电压浪涌抑制要求。

    - 击穿电压:最小值13.9V,保证在超过工作电压范围时快速响应,保护电路不被损坏。

    - 低电容:1MHz 时为33pF的低电容设计使其适合高速信号传输应用,而不会影响信号完整性。

    - 工作温度范围:-55℃至150℃,适合恶劣环境条件下稳定运行。

    - 封装形状:SOT-363封装,设计紧凑,适合电路板空间有限的电路。

    总的来说,VESD12A5-06GHG3-08凭借出色的瞬态电压抑制性能、小电容设计和宽工作温度范围,是各种电子设备必不可少的保护元件,确保系统可靠性和使用寿命得以显着提高。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

    扫一扫!

    深圳市壹芯微科技有限公司 版权所有 | 备案号:粤ICP备2020121154号