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VBUS03N1-DD1HG3-08

封装: DFN1006-2B
商品目录: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性: 双向
反向截止电压(Vrwm): 3.3V
最大钳位电压: 21V
击穿电压: 7V
类型: TVS

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    VBUS03N1-DD1HG3-08是一款双向电压抑制二极管(TVS二极管)。适用于保护敏感电子设备免受浪涌电压的影响。其特点是阻断电压低、钳位电压高。

    一、应用场景

    1. USB端口保护:由于反向关断电压较低(Vrwm = 3.3V),VBUS03N1-DD1HG3-08用于USB接口保护和临时浪涌保护。可有效防止静电放电(ESD)损坏电子设备接口。

    2. 移动设备保护:在智能手机和平板电脑等移动设备中,VBUS03N1-DD1HG3-08可以保护数据传输和电源接口,确保设备即使在广泛使用的高压电流的影响下也能继续正常运行。如果用于防止电压波动,可能会发生内部损坏。

    3. 通信设备的保护:VBUS03N1-DD1HG3-08用于通信基站、路由器等设备,避免外界电磁干扰和电压浪涌对通信线路的影响,保证稳定传输。

    4. 汽车电子系统保护:在汽车电源系统中,VBUS03N1-DD1HG3-08可用于保护电源接口免受过压,延长汽车电子设备的使用寿命。

    二、参数特点

    - 反向关断电压(Vrwm):VBUS03N1-DD1HG3-08的反向关断电压为3.3V,可以有效保护3.3V电压系统免受高压造成的损坏,适合低压应用。

    - 最大钳位电压:最大钳位电压为21V,可快速抑制电压波动和浪涌时的电压上升,保护敏感器件免受损坏。

    - 击穿电压:此器件的击穿电压为7V,超过此电压时,它会在适当的时候导通,以保护电路免受过压。

    - 双向极性:作为双向TVS二极管,VBUS03N1-DD1HG3-08可以处理正负电压浪涌,提供全面的保护,适合需要双向保护的应用。

    - DFN1006-2B封装:器件采用DFN1006-2B封装,具有小型化特性,适合节省空间和紧凑的电路设计,同时提高集成度,适用于高密度电子产品。

    总的来说,VBUS03N1-DD1HG3-08因其优异的性能而被推荐。由于其电压抑制特性、紧凑的封装以及高效的双向保护功能,被广泛应用于USB设备、移动设备、通信设备、汽车电子等领域。这是保护电路免受过压损坏的重要工具。VBUS03N1-DD1HG3-08的选择和应用可以有效提高电子设备的可靠性和耐用性。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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