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场效应MOS管TSM60N03CP参数

PD最大耗散功率:41WID最大漏源电流:60AV(BR)DSS漏源击穿电压:30VRDS(ON)Ω内阻:0.0045ΩVRDS(ON)ld通态电流:19AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:1.15~2.2VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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    TSM60N03CP是一款常用于多种电子设备和系统的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它具有出色的性能特点,适用于不同的应用场景。以下是TSM60N03CP的详细应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:TSM60N03CP常用于开关电源(Switching Power Supplies),包括AC-DC和DC-DC转换器。它在这些应用中作为开关器件,提供高效的能量转换和低功耗的性能表现。

    2. 电机驱动:在直流电机驱动电路中,TSM60N03CP用于控制电机的启动、停止和速度调节。由于其低导通电阻和高开关速度,使其在这种应用中能够有效降低能量损耗并提高系统的效率。

    3. 照明系统:TSM60N03CP也广泛应用于LED照明系统,尤其是用于LED驱动电路。它能够通过高效的电流控制,确保LED灯具的稳定工作和长寿命。

    4. 电池管理系统:在锂离子电池管理系统中,TSM60N03CP用于充放电控制。其优异的导通电阻和开关特性使得电池充电效率更高,延长电池寿命。

    5. 消费电子产品:在消费电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中,TSM60N03CP用于电源管理和功率控制。这些应用场景要求高效能和低能耗,而TSM60N03CP正好满足这些需求。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:TSM60N03CP的典型导通电阻为30毫欧(mΩ),这意味着它在开通状态下具有很低的能量损耗,提高了整体系统的效率。

    - 高脉冲电流能力:TSM60N03CP能够处理高达60A的脉冲电流,使其在高负载应用中表现出色,适用于瞬态高电流需求的电路。

    - 快速开关速度:由于其低栅极电荷,TSM60N03CP具有快速的开关特性,这在高频开关电源和电机控制应用中尤为重要,有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。

    - 耐高压能力:TSM60N03CP的耐压值为30V,这使得它能够在较高电压环境下稳定工作,适用于多种不同的电压应用场景。

    - 热管理能力:TSM60N03CP具有良好的热管理能力,能够在高温环境下维持稳定性能。其封装设计有助于有效散热,确保器件长时间可靠工作。

    综上所述,TSM60N03CP是一款性能优异、应用广泛的功率MOSFET。它在电源管理、电机驱动、照明系统、电池管理和消费电子产品等多种领域表现出色。其低导通电阻、高脉冲电流能力、快速开关速度、耐高压能力和良好的热管理能力,使得TSM60N03CP成为许多电子系统中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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