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场效应MOS管TK5A60W参数

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:5.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.9ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.7AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.7~3.7VVGS(th)ld(μA)开启电流:270μA

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    TK5A60W是一种N沟道功率MOSFET,由东芝公司生产,广泛应用于各种电子电路中。以下详细介绍TK5A60W的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK5A60W常用于DC-DC转换器和AC-DC电源转换器中,主要负责开关和调节电流,以确保电源系统稳定运行。这类应用中,MOSFET的高效率和低损耗特性尤为重要。

    2. 电机驱动:在电机控制和驱动电路中,TK5A60W因其高电流处理能力和快速开关速度,被广泛应用于控制电机的启动、停止和速度调节等操作,尤其在工业自动化和机器人领域。

    3. 照明系统:LED驱动电路是TK5A60W的另一个主要应用场景。它用于控制LED灯的亮度和开关状态,通过高效的电流管理来实现节能和延长LED寿命。

    4. 家用电器:TK5A60W在许多家用电器中也有应用,如空调、冰箱和洗衣机等。这些设备需要高效的电源转换和电机控制,以实现稳定的性能和节能效果。

    5. 汽车电子:TK5A60W在汽车电子系统中扮演着重要角色,特别是在电源管理模块和电机控制单元中。其高可靠性和耐用性使其适合在苛刻的汽车环境中使用。

    二、参数特点:

    - 耐压能力:TK5A60W的漏源极耐压(Vds)为600V,使其能够在高压应用中稳定工作。这一特性使得它在电源管理和高压电机驱动中非常适用。

    - 导通电阻:该型号的典型导通电阻(Rds(on))为1.8Ω,具有低导通损耗的优点,有助于提高系统的整体效率,减少热量产生。

    - 电流处理能力:TK5A60W的连续漏极电流(Id)为5A,能够处理较大的电流负载,适用于高电流需求的应用场景,如电机驱动和电源转换器。

    - 开关速度:该MOSFET具有快速的开关特性,典型开关时间仅为几十纳秒,能够有效提高电路的响应速度和效率。这对于高频开关应用,如DC-DC转换器,尤为重要。

    - 热性能:TK5A60W的热阻(Rth)较低,有助于快速散热,维持器件在高功率条件下的稳定运行。其良好的热性能确保了在高温环境下的可靠性和长寿命。

    综上所述,TK5A60W是一款性能优异的N沟道功率MOSFET,其在电源管理、电机驱动、照明系统、家用电器和汽车电子等多个领域中有广泛应用。其出色的耐压能力、低导通电阻、高电流处理能力、快速开关速度和优良的热性能,使其成为各类高效能电子电路中的理想选择。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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