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场效应MOS管TK4A60DB参数

PD最大耗散功率:35WID最大漏源电流:3.7AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.9AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2.4~4.4VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK4A60DB是一款常见的功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。以下将详细介绍TK4A60DB的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK4A60DB常用于开关电源和电压调节器中,帮助实现高效能量转换和稳定电压输出。它在开关电源中担任开关元件,能够快速响应控制信号,提升系统效率。

    2. 家用电器:在家用电器如洗衣机、空调和冰箱中,TK4A60DB被用于电机驱动和控制电路中。其高耐压和高电流能力确保设备的长期稳定运行。

    3. 汽车电子:TK4A60DB在汽车电子中有广泛应用,例如用于电动汽车的电池管理系统(BMS)和电子控制单元(ECU)中。它帮助实现电池的高效充放电和电动系统的可靠控制。

    4. 工业控制:在工业自动化和控制系统中,TK4A60DB用于驱动电机和控制继电器,提供高可靠性和高性能的解决方案,满足工业环境的严苛要求。

    5. 照明设备:TK4A60DB在LED照明驱动电路中扮演重要角色,帮助实现高效的电能转换和稳定的光输出。其低导通电阻和高开关速度使其成为LED驱动的理想选择。

    二、参数特点:

    - 高耐压:TK4A60DB的耐压值高达600V,使其适用于高压应用场景,如开关电源和工业控制设备。高耐压特性确保在高电压条件下的可靠运行,防止器件损坏。

    - 低导通电阻:TK4A60DB的导通电阻(RDS(on))低至0.55Ω,有助于降低功耗和提升系统效率。低导通电阻减少了在高电流运行时的热量产生,提升了整体性能。

    - 高开关速度:TK4A60DB具备快速的开关速度,这使其在高频开关应用中表现出色。快速开关特性有助于提高转换效率,减少开关损耗,适用于高频PWM控制的电源系统。

    - 高电流能力:TK4A60DB能够承受高达17A的连续电流,使其适用于大电流应用,如电动汽车和工业电机驱动。高电流能力确保在高负载条件下的稳定运行。

    - 封装和散热性能:TK4A60DB采用TO-220封装,具备良好的散热性能。TO-220封装便于安装和散热,适用于需要高散热能力的应用场景,如大功率开关电源和电机控制。

    综上所述,TK4A60DB凭借其高耐压、低导通电阻、高开关速度和高电流能力,在电源管理、家用电器、汽车电子、工业控制和照明设备等领域有着广泛的应用。其优异的参数特点使其成为各种高性能电子设备中不可或缺的核心元件。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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