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场效应MOS管TK15A60U参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:15AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.3ΩVRDS(ON)ld通态电流:7.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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    TK15A60U是一款高效的N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电子设备和电力系统中。本文将详细介绍其应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:TK15A60U在开关电源(SMPS)中广泛使用,特别是在服务器电源、工业电源以及高效电源适配器中。它能够承受高电压和高电流,同时具有低导通电阻,确保在高效传输能量的同时减少能量损耗。

    2. 电动汽车和混合动力汽车:在电动汽车的电池管理系统(BMS)和逆变器中,TK15A60U提供了高效的电力转换和管理能力。它的高可靠性和耐用性使其成为汽车电子中的理想选择。

    3. 太阳能逆变器:TK15A60U在太阳能光伏系统中用于逆变器和DC-DC转换器。这些逆变器需要高效和可靠的功率转换,而该器件的高击穿电压和低损耗特性使其非常适合这一应用。

    4. 工业自动化设备:在工业自动化控制系统中,TK15A60U用于电机驱动和控制电路中。它的高效能和可靠性能确保了系统的稳定运行,减少了设备故障和停机时间。

    5. 消费电子产品:在一些高端消费电子产品中,如高功率音频放大器和智能家电,TK15A60U也得到了广泛应用。它的高效能和小型化设计使其能够在这些设备中提供出色的性能。

    二、参数特点:

    - 高击穿电压:TK15A60U的漏源击穿电压(BVDSS)高达600V,使其能够在高压应用中安全运行,防止器件损坏。

    - 低导通电阻:TK15A60U的典型导通电阻(RDS(on))仅为0.29Ω,这意味着在导通状态下,电能损耗较低,提高了整体系统的效率。

    - 高脉冲电流能力:该器件能够承受高达60A的脉冲电流,使其适合在高峰值电流需求的应用中使用。

    - 快速开关速度:TK15A60U具有快速的开关速度,降低了开关损耗,提高了功率转换效率。其典型的开关时间在几十纳秒量级,使其非常适合高频率应用。

    - 低栅极电荷:TK15A60U的栅极电荷(Qg)较低,典型值为53nC。这降低了驱动电路的功率需求,使整体系统设计更加高效和经济。

    通过结合这些优异的参数特点,TK15A60U在各种高效能、高可靠性的应用中都能发挥出色的性能,满足现代电子设备对功率器件的严格要求。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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