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场效应MOS管SVF7N60F参数

PD最大耗散功率:120WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:1.4ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    SVF7N60F是一款常见的场效应管,通常用于各种功率电子设备中,其应用场景和参数特点如下:

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统:SVF7N60F常见于电源管理系统中,例如开关电源、逆变器等。

    2. 电动汽车驱动系统:在电动汽车的驱动系统中,SVF7N60F也被广泛应用,用于控制电机的功率输出。

    二、参数特点:

    1. 高功率:SVF7N60F具有较高的功率承受能力,适用于大功率应用。

    2. 低导通电阻:其低导通电阻能够减小功率器件的损耗,提高整体效率。

    3. 高频特性:SVF7N60F具有良好的高频特性,适用于高频开关电源设计。

    4. 耐压能力:该器件能够承受较高的工作电压,适用于要求较高电压的场合。

    5. 温度特性:SVF7N60F具有较好的温度特性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。

    SVF7N60F在功率电子领域的应用十分广泛,其稳定可靠的性能使其成为许多电子设备中不可或缺的一部分。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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