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场效应MOS管SVF5N60F参数

PD最大耗散功率:40WID最大漏源电流:5AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.15ΩVRDS(ON)ld通态电流:2.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    SVF5N60F是一款场效应晶体管(FET),具有多种应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:SVF5N60F在电源管理领域应用广泛。它能够帮助实现电源的高效转换,减少能源浪费,提高电子设备的性能。

    2. 电动车和电机驱动系统:SVF5N60F被用于电动车和电机驱动系统中,通过控制其开关状态,可以实现电机的精确控制和高效能转换,提高电动车的动力性能和续航里程。

    3. LED照明:SVF5N60F在LED照明领域发挥着重要作用,能够提供稳定的电流和电压输出,延长LED的使用寿命并提高照明效果。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻:SVF5N60F的低导通电阻减少了功率损耗,提高了效率。

    2. 高频特性:SVF5N60F的高频特性使其适用于需要快速开关的应用场景。

    3. 耐压能力:SVF5N60F在高压环境下具有较高的稳定工作能力,提高了电路的可靠性和安全性。

    综上所述,SVF5N60F作为一款性能优越的场效应晶体管,在电源管理、电机驱动、LED照明等领域都有着重要的应用前景,并且其低导通电阻、高频特性和耐压能力等参数特点使其在这些领域中具有明显的优势。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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