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场效应MOS管SVF4N65F参数

PD最大耗散功率:34WID最大漏源电流:4AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:3ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    SVF4N65F是一款场效应晶体管(FET),主要应用于电源管理、电源开关和其他高频开关电路。它的参数特点使其在这些领域中表现出色。

    一、应用场景:

    1. 电源管理系统: SVF4N65F 能够有效地控制电流和电压,保证电源系统的稳定性和效率,例如在工业设备和消费电子产品中。

    2. 电源开关电路: SVF4N65F 能够快速地开关电流,实现高效的能量转换,适用于电源适配器和变频器等频繁开关的设备。

    3. 其他高频开关电路: SVF4N65F 的高频特性使其在各种高频开关电路中具有出色的性能表现。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻: SVF4N65F 具有低导通电阻,减少能量损耗,提高系统效率。

    2. 低开关损耗: SVF4N65F 在工作时产生较少的热量,能够更有效地转换能量,提高系统效率。

    3. 高耐压能力: SVF4N65F 具有较高的耐压能力和可靠性,在各种恶劣环境下稳定工作。

    4. 高频特性: SVF4N65F 的高频特性使其在高频开关电路中表现优异。

    5. 可靠性: SVF4N65F 在工业控制系统和汽车电子系统等领域中得到广泛应用,表现出较高的可靠性。

    综上所述,SVF4N65F 作为一款高性能场效应晶体管,在电源管理、电源开关和其他高频开关电路中具有广泛的应用前景,其参数特点使其能够满足各种应用场景的要求,为电子设备的稳定运行和高效能耗提供了可靠保障。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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