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场效应MOS管SVF4N60F参数

PD最大耗散功率:55WID最大漏源电流:2.8AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:2.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:1.4AVRDS(ON)栅极电压:2VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    SVF4N60F是一款N沟道场效应晶体管(MOSFET),常用于各种功率电子应用中。下面我们将详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源管理:SVF4N60F常见于电源管理领域,特别是开关电源和逆变器电路中。

    2. 电机驱动:在电机驱动器和电动汽车控制系统中,SVF4N60F也扮演着重要角色。

    3. 照明系统:它还可以用于照明系统、太阳能逆变器和电动工具等领域。

    二、参数特点:

    1. 低导通电阻(RDS(on)): SVF4N60F具有低导通电阻,这意味着在导通状态下的功耗很低,有助于提高效率。

    2. 高耐压能力: 作为SVF4N60F的特点之一,它能承受相对较高的电压,适用于高压环境下的应用。

    3. 快速开关特性: SVF4N60F具有快速的开关特性,这对于减少开关损耗和提高效率至关重要。

    4. 热稳定性: 由于良好的热稳定性,SVF4N60F在高温环境下依然能够保持稳定的性能,适用于各种工作条件。

    5. 可靠性: SVF4N60F的设计经过严格的测试和验证,具有可靠的性能,能够长时间稳定地工作。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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