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场效应MOS管SVF12N65F参数

PD最大耗散功率:210WID最大漏源电流:12AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.8ΩVRDS(ON)ld通态电流:0.6AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:2~4VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μAGfs(min)S跨导:SGfs(min)VDS漏源电压:VGfs(min)lo通态电流:A

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    SVF12N65F是一款功率MOSFET,具有广泛的应用场景和一系列参数特点。下面将详细介绍它的应用场景和参数特点。

    一、应用场景:

    1. 电源供应器:SVF12N65F可以作为开关管或逆变器的关键组件,提高整体能源利用率。

    2. 工业自动化:SVF12N65F可以用于驱动电机、控制温度和实现各种工艺过程,适用于工业环境。

    3. 电动车充电器:SVF12N65F可提供高效率和稳定性,确保电动车充电过程的安全和快速。

    4. 消费类电子产品:SVF12N65F用于功率管理、电池充放电控制等方面,确保设备的高性能和长寿命。

    5. 太阳能逆变器:SVF12N65F可以转换太阳能电池板产生的直流电为交流电,促进清洁能源的应用。

    二、参数特点:

    - 低导通电阻:SVF12N65F的低导通电阻降低了功率器件在导通状态时的能量损耗,提高了整体效率。

    - 高开关速度:快速的开关速度减少了开关过程中的能量损耗,提高了效率。

    - 低静态功耗:SVF12N65F的静态功耗非常低,有助于减少系统的能耗并延长电池寿命。

    - 高温稳定性:SVF12N65F在高温环境下保持稳定性,适用于各种恶劣工作条件。

    - 可靠性高:SVF12N65F经过严格的质量控制和测试,具有出色的可靠性和长期稳定性,适用于长时间运行的应用场景。

    SVF12N65F凭借其优秀的性能和可靠性,在各种电力电子应用中扮演着重要角色,为提升系统效率和性能发挥着关键作用。

    地 址/Address

    工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
    深圳办事处地址:深圳市福田区宝华大厦A1428
    中山办事处地址:中山市古镇长安灯饰配件城C栋11卡
    杭州办事处:杭州市西湖区文三西路118号杭州电子商务大厦6层B座
    电话:13534146615 企业QQ:2881579535

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